硅像素传感器文献调研（六）

写在前面：

感叹一下前人的智慧，保护环结构？保护环——场限制环？怎么发展着还改名字了哈哈哈哈哈

发现一个领域的文章是读得越多越好读了，知识都是那些。

发现大家的引言写的都很像，背后似乎是有一种套路在的。

1983年——带场限制环的平面器件的阻塞能力

 0.摘要

介绍了场限环平面器件击穿电压的研究结果。采用有限差分法求解二维泊松方程。对具有多个场环的器件的最佳环间距问题以及表面电荷对阻挡能力的影响进行了广泛的研究。讨论了环间距、环宽度、掺杂梯度和表面电荷密度对器件性能的影响。本文提出了一个简化计算的分析模型，用以说明场环器件的主要特性。此外，显示EBIC测量的一些实验结果。

1.引言

平面pn结的击穿电压由于结的曲率和表面电荷的影响而下降。Kao和Wolley [1]指出，同心环结（图1）可以提高平面结的击穿电压。Matsushita和Hayashi[2]在衬底的顶部和底部使用场限制环，以实现甚至高于体击穿电压的击穿电压。

Adler等人[3]提出了第一个具有一个场限制环的器件的二维数值分析，他开发了一种算法来在泊松方程的解中引入和去除浮动电位区域。Sonntag等人[4]在击穿电压为5 kV的高压晶闸管中应用了场限环。Jaecklin[5]研究了高达4 kV的场环器件。Yasuda和Yonezawa[7]最近报道了具有一个场限制环的平面p+n-n+器件的结果。

到目前为止发表的数值研究仅限于只有一个场限制环的设备。Adler[3]的结果表明，具有一个最佳放置环的器件的最大击穿电压是归一化曲率半径的函数。在我们的论文中，对具有多个场环的器件进行了数值研究，以确定优化阻塞能力的基本方面。在大多数计算中，只考虑了两个环，因为发现特征关系已经可以识别。

随着环数量的增加，场环器件的优化变得非常广泛。因此，一个简单的分析模型推导出的主要特征，并给出近似值的数值计算。

制造具有两个场环的pn二极管。最后给出了一些有趣的EBIC测量实验结果。

图1 平面器件和单场限环的对应结构

2.器件结构

图2显示了数值计算中研究的pn二极管的器件结构。在所有p+区中假定相同的掺杂分布。杂质分布近似为指数分布。