SPI Flash芯片W25Q32英文版数据手册解读（二）---------存储器知识，寄存器

接着上一篇文章，由于W25Q32芯片是一个存储器芯片，先对这个芯片有关存储器的一些概念进行解读。

一、存储器相关知识

1、存储器的三个单位：

存储器三个等级：页（Page），扇区（sector），块（block）

2、单位换算关系：

下面给出手册的截图，见图1-1，截图下面我做出总结

图1-1

对于W25Q32，容量为4MB（2的22次方字节）
1页=256字节，该芯片一共有16384（2的14次方）可编程页
1扇区=16页，该芯片一共有1024（2的10次方）可擦扇区
1块=16扇区，该芯片一共有64（2的6次方）可擦块

3、相关指令：

页（Page）程序指令：一次最多可编程256个字节。
扇区（sector）擦除指令：1扇区擦除，即16页一起擦除。
块（block）擦除指令：半块擦除，即128页一起擦除；1块擦除，即256页一起擦除。
整个芯片（Chip）全部擦除指令。

二、W25Q32的寄存器

W25Q32共有2个8位的寄存器，名字分别为Status Register-1，Status Register-2，其中只有10位有用，见图2-1，图2-2

图2-1

图2-2

下面对这10位进行解读

1、BUSY（忙位）：

手册截图如图2-3

图2-3

只读位，当执行“页编程”，“扇区擦除” 、“块擦除”、 “芯片擦除”、 “写状态寄存器”指令时，这一位由硬件自动置1，此时除了“读状态寄存器”指令，其它指令都会被忽视。当上述操作结束以后，这一位由硬件自动置0，此时芯片可以接收其它指令。

2、WEL（写使能位）：

手册截图如图2-4

图2-4

只读位，当执行写使能指令时，这一位由硬件自动置1。当芯片掉电重启，或者“写禁止“、”“页编程”、“扇区擦除” 、“块擦除”、 “芯片擦除”、 “写状态寄存器”指令后，这一位由硬件自动置0。

3、SEC、TB、BP2、BP1、BP0（块保护）：

块保护这部分内容比较多，我先给出手册截图如图2-5

图2-5

对应这部分文字解说有个真值表，见图2-6

图2-6

还需要结合存储器地址分布图，如图2-7

图2-7

由于这个内容很多，我就解读一下怎么看这个表

1、前5列：这个是真值表，数电很熟悉了，不再赘述。
2、第6列表示的是块的编号，第7列表示块的地址范围，第8列表示块的容量大小，第9列表示的是该块在整个芯片的相对位置。
3、以图2-6第二行为例：前5列取值为0 0 0 0 1，表示的是第63块，对应的地址和块容量大小在图2-7对应的最上面，找到63的标号，就可以找到，最后一列Upper表示高位地址，Lower表示低位地址，Top是最顶层地址，Bottom表示最底层地址，分数表示该块容量占了整个芯片的1/64。

4、SRP1, SRP0（状态寄存器保护位）：

手册截图如图2-7

图2-7

这部分是真值表的形式，这两位是控制5种状态寄存器的状态：
1、/WP无控制功能 ，状态寄存器可写。
2、/WP = 0，状态寄存器不可写。
3、/WP = 1，状态寄存器可写。
4、必须掉电-上电后，状态寄存器才可写（类似于冷启动）。
5、状态寄存器除了在出厂时被写，后面永久保护不可写，即为一次性编程。

5、QE（Quad SPI模式使能）：

手册截图如图2-8

图2-8

QE位是使能之前说的Quad SPI模式。
QE = 0（出厂默认设置），写保护（/WP）和维持（/Hold）引脚才能工作，也就是工作在标准SPI模式或 Dual SPI模式。
QE = 1，表示写保护（/WP）和维持（/Hold）引脚复用为数据引脚，工作在Quad SPI模式。
最后一行有个警告：就是上一篇文章我最后放的PCB原理图，写保护（/WP）和维持（/Hold）引脚直接接VCC了，QE位不能设置为1，即不可编程写该位，只能工作在标准SPI模式或 Dual SPI模式。

3、总结

所有的知识点全部在手册里面，一定要耐心读完英文，牢牢结合手册，这样才能提高阅读文献的能力。

下一篇会讲芯片的指令，根据时序图写程序，并配上完整程序。

不足之处请批评指正，欢迎留言交流，需要完整文档私信我。