qq_45521099的博客

讲述EMFI与SDRAM今生相互纠缠可歌可泣的调试历程SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），即同步动态随机存取存储器，是一种广泛应用于计算机系统中的内存技术。它采用与系统时钟信号同步的操作方式，实现了高效的数据传输和读写性能。基本特性 同步操作：SDRAM的操作与计算机系统的时钟信号紧密同步，这意味着每个操作都发生在特定的时钟周期内。这种同步性有助于减少数据延迟，提高数据传输的效率和稳定性。

最近在EMFI与FPGA/ASRAM的调试上可谓是一波三折。记录一下各种EMIF隐秘的角落（大坑）本期先展示ASRAM的测试及填坑记录，后期在更新SDRAM的大坑。

基于TMS320F28377D-ePWM-TZ模块实现第一篇的两个如何触发trip-zone的想法（gpio绑定TZ1~3触发，ADC超越限制进行DCAEVT1/2或DCBEVT1/2触发）。本期先展示GPIO -----| I/P X-BAR |-----TZ1-----| ePWM TZ Module |-----TZ-Event触发，后期有时间再更新ADC事件触发TZ。

本文主要为了记录DSP28377的个人学习、调试记录以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考这里对文章进行总结：以上就是今天要讲的内容，本文仅仅简单介绍了tripzone的作用及触发方式，后期会更新tripzone实际触发的测试代码及验证框图。