本文详细介绍了MOS管数据手册中的重要参数，包括极限参数、电压电流特性、工作温度范围等，强调了在实际应用中选择的关键参数如VDS、ID、RDS(ON)和VGS(th)等，以及与开关速度、散热和安全性相关的内容。
大家好，我是砖一。
MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。
极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。
VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。
VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。
ID表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。
IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度，如果超过该值，会引起击穿的风险。
EAS表示单脉冲雪崩击穿能量，如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
PD表示最大耗散功率，是指MOS性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率，使用时要注意MOS的实际功耗应小于此参数并留有一定余量，此参数一般会随结温的上升而有所减额。（此参数靠不住）
TJ, Tstg，这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间，应避免超过这个温度，并留有一定余量，如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。
dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力，越
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