
场效应管特性曲线
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farjune
一个Ic小白
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(十四) 基于cadence 617 gmid曲线仿真 参数扫描方法
传统的设计方法是采用过驱动电压的设计方法,原理理论基础是长沟道器件,然后工艺越来越先进小,进入深亚微米后,传统的长沟道物理模型偏差会比较大。从MOS晶体管反推估算参数会比较不太准确,计算有点繁琐,gmid的方法就是采用gm与id的比值来抵消工艺参数得到关于过驱动电压关系式,选择合适gmid的比值也就选择了过驱动电压。gmid方法是通过对CMOS晶体管进行曲线的一个扫描,然后绘制出不同的长度,不同的gmid的条件下,特征频率、本征增益、电流密度的曲线,只需要在对应的曲线查找所需要的数值计算就行。原创 2023-07-25 10:35:00 · 9272 阅读 · 14 评论 -
(一) 基于Cadence 617 MOSFET的V-I曲线仿真
基于Cadence IC617 MOSFET的V-I特性仿真,绘制vgs与id,vds与id的关系原创 2023-03-09 17:07:53 · 6958 阅读 · 3 评论