qq_45121415的博客

从扫描三级管的温度曲线出发，求达到零温度系数的电阻比例，再去仿真MOS管的节点电压来确定放大的输入输出，综合一起仿真，进行微调，得到零温度曲线

采用gmid方法，从GWB与补偿电容出发，决定输入对管的gm，选择合适的gmid值，来设计宽长比，反复查表，得出全部设计参数，进行直流仿真，交流仿真，验证压摆率，零极点仿真，达到要求

传统的设计方法是采用过驱动电压的设计方法，原理理论基础是长沟道器件，然后工艺越来越先进小，进入深亚微米后，传统的长沟道物理模型偏差会比较大。从MOS晶体管反推估算参数会比较不太准确，计算有点繁琐，gmid的方法就是采用gm与id的比值来抵消工艺参数得到关于过驱动电压关系式，选择合适gmid的比值也就选择了过驱动电压。gmid方法是通过对CMOS晶体管进行曲线的一个扫描，然后绘制出不同的长度，不同的gmid的条件下，特征频率、本征增益、电流密度的曲线，只需要在对应的曲线查找所需要的数值计算就行。

对5管OTA进行共模输入范围DC扫描输入共模范围，用饱和区域扫描输入共模范围；对电路进行ac仿真得到差模增益，相位的曲线，验证其相位裕度；ac仿真的到共模增益，从而计算CMRR

对电路进行稳定性仿真，去改变电路参数去调节环路增益、相位裕度；进行噪声仿真，进行分析噪声来源，去调节电路降低噪声；进行瞬态仿真来看电路是否能正确启动；交流仿真来对PSRR进行仿真，并进行改变电路参数来调节PSRR。

提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考。

根据电路原理图来创建版图，对其版图连线，进行DRC，LVS，PEX，后仿真

通过反相器原理图来创建symbol、testbench图再进行简单仿真

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以二极管作负载的共源级为例，建立原理图，进行直流仿真，再对其进行交流、瞬态仿真

以电阻作负载的共源级为例，在直流仿真的基础上选择合适的直流偏置；再对其进行交流、瞬态仿真，同时验算放大倍数是否符合。提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考。

通过dc直流仿真，描绘 输出电压vout与输入电压vin关系曲线，输入电压vin与输出电流id，创建.scs文件保存放大管扫描直流参数，借用计算器输入gm变量，描绘跨导gm与vin的曲线提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考。

基于Cadence IC617 MOSFET的V-I特性仿真，绘制vgs与id，vds与id的关系