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在 SoC 中，存储器是决定性能的另一个重要因素。不同的 SoC 设计中，根据实际需要采用不同类型和大小的存储器，但其基本存储体系大体一致，如图 4-9 所示。典型的 SoC 存储器体系包括处理器内部的寄存器和 Cache(SRAM)、片内 ROM、片外主存和非易失存储器 Flash。其中，寄存器通常由十几到几十个构成，用于缓存程序运行时的频繁使用的数据(如局部变量、函数参数等)。Cache 是提升处理器性能的关键部件，利用程序局部性原理，以块为单位，通过FIFO或LRU替换算法，对指令或数据进行缓存，降低

SRAM：静态随机存储器DRAM：动态随机存储器SRAM组成：采用锁存器作为记忆单元，用静态存储单元构成的存储器成为静态存储器，通常有NMOS和COMS两种。优点：1.数据由锁存器记忆，不需要另设电路定期刷新。2.存取速度很快（SRAM采用了与制作CPU相同的半导体工艺）。缺点：1.所有元件较多，集成度比DRAM低。2.功耗较大。3.体积较大，制造成本比DRAM高。DRAM组成：采用MOS管的栅电容（分布电容）来存储数据，用动态存储单元构成的储存器称为动态存储器。优点：所用元件少，

闪存Flash是一种基于电荷存储，价格性能兼顾的非易失存储器，它能以块为单位进行擦除和编写，是电可擦除自读存储器（EEPROM）的变种，其变成所需要的时间几乎和EEPROM相同，但是成本要低于EEPROM。Flash存储单元为三端器件（源级，漏级和栅极），如图采用具有浮栅的MOS管存储电荷，栅极和硅衬底之间有二氧化硅绝源层用来保护浮栅中的电荷不会泄露。从而使得存储单元具有了电荷保护能力，当硅衬底上形成的浮栅中有电子则表示存储数据“0”，无电子则表示存储数据“1”，任何Flash储存器的写入操作只能再空或