传感器特点表格整理

这篇内容详细介绍了光调制器的工作原理,包括光强调制、偏振调制和相位调制,涉及微弯效应、普尔克效应等物理现象。同时,还探讨了热电效应的两个方面,即热电偶的塞贝克效应和金属、半导体的温差电势。此外,提到了应变片的金属与半导体应变片以及它们的电阻变化原理。最后,概述了光电器件如光电倍增管、光电池和光敏二极管等的工作特点。

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光调制器内原理:

调制方式调制原理1调制原理2
光强调制微弯效应外调制
偏振调制普尔克效应法拉第磁光效应
相位调制压力应变效应热胀冷缩效应

热电效应与塞贝克效应:

现象组成/应用原理
热电效应1接触电势两种金属因为自由电子密度不同导致的电子均匀,然后在界面处产生的电势
热电效应 2温差电势单一金属的两端因为温差而使得电子从高温端向低温端移动
塞贝克效应热电偶两种导体或半导体因温度差异而导致的电势差的热电现象

应变片:

应变片种类原理
金属应变片横截面积、长度变化引起电阻值的变化
半导体应变片能带结构的变化引起电阻率的变化

光电器件:

现象固体器件特点
外光电效应真空光电管(空)
外光电效应光电倍增管光阴极、次阴极、阳极
内光电效应光敏电阻时延大,光照特性非线性,灵敏度高,体积小,重量轻,性能稳定,价格便宜
内光电效应光电池光生伏特效应
内光电效应光敏二极管反向工作状态,光电流与照度呈线性;频带宽达10GHz,光电流小,需运放
内光电效应光敏三极管最佳灵敏度峰值波长
内光电效应雪崩光电二极管工作电压高,电流增益高,响应速度快,带宽达100GHz,灵敏度高,噪声大
内光电效应硅光电倍增管增益高,灵敏度高

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