唤醒时间:
MCU, Idle → Active 14 μs
MCU, Standby → Active 174 μs(ram保持)
MCU, Shutdown → Active 1097 μs(相当于重启MCU)
通常情况下,
如果需要然SRAM保持,使用次低功耗standby 模式,电流0.7uA;
如果不需要SRAM保持数据,则使用最低功耗shundowm模式,电流0.185uA。
本文详细解析了MCU在不同功耗模式下的唤醒时间,包括Idle到Active的14μs,Standby到Active的174μs(RAM保持),以及Shutdown到Active的1097μs(类似重启)。介绍了在保持SRAM数据时使用次低功耗Standby模式,电流消耗为0.7uA,以及在不需保持SRAM数据时采用最低功耗Shutdown模式,电流消耗仅为0.185uA。
唤醒时间:
MCU, Idle → Active 14 μs
MCU, Standby → Active 174 μs(ram保持)
MCU, Shutdown → Active 1097 μs(相当于重启MCU)
通常情况下,
如果需要然SRAM保持,使用次低功耗standby 模式,电流0.7uA;
如果不需要SRAM保持数据,则使用最低功耗shundowm模式,电流0.185uA。
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