2019年北京移动电信联通校园卡200打一年300打两年套餐对比

本文对比了2019年北京移动、电信、联通三大运营商校园卡套餐。移动200打一年,流量增加;电信200打一年、300打两年,通用流量和通话升级,续约方便;联通套餐变化不大,但京津冀打全国联通随便打。还提到有人冒充学生办卡,运营商或作限制。

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2019年北京移动电信联通校园卡200打一年300打两年套餐对比

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最近比较热门的一个话题就是校园卡应该选哪个,每年的七月份到十月份就是三大运营商争夺新用户的时候啦!来看看今年北京移动电信联通三大运营商都推出了什么新套餐吧!

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2019年北京移动校园卡200打一年,和2018年一样今年移动依旧是只有200打一年,也就是传说中的年抛卡,每年都换一张!与2018年的套餐相比,2019年的套餐在2018年的基础上做了升级,首先是流量增加了10G的通用流量也就是30G不限速,超过30G以后限速,另外还有30G定向流量,通话与短信没有实质性变化依旧是200分钟300条短信,只是今年增加了一个语音团,具体见下图。总体来说这个套餐还是很有竞争力!

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2019北京电信校园卡200打一年300打两年

2019年的北京电信校园卡与2018年相比,有很大的升级,首先就是通用流量比去年多了10G升级到了30G,还有免流软件,其次通话是一个很大的两点直接升级到500分钟,这个真的无敌了!通话与流量都超级棒,一张卡就可以搞定通话和流量!关键是电信校园卡的续约超级方便,直接在电信给的链接里就能续约了,相比之下我觉得电信是真的棒!具体看一下电信的宣传海报吧!

 

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2019年北京联通校园卡200打一年300打两年

2019年的套餐与2018年的套餐相比并没有太大的变化,但是有一个亮点,京津冀打全国联通随便打!这点就非常棒了,家里装个联通的电话就能随便给家里打电话不用担心话费,对象直接可以无限的煲电话粥,简直不能太爽!联通的流量也很棒,4+6G闲时+20G不限速,超过以后限速,流量跟通话都非常棒!

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2019年的北京三大运营商的校园卡套餐就都在这里啦,不知道小伙伴们有没有心动,其实最心动的是已经毕业的人们,这么优惠的套餐营业厅里一般是办理不到的,所以就好多人利用审核不严格的漏洞冒充学生身份来申请校园卡,不知道三大运营商后期会不会对这种薅羊毛的行为作出限制,今天的介绍就到这里啦,现在你知道自己应该办哪个套餐了吗?更多校园卡资讯请持续关注燕郊高校圈哦!

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资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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