qq_39787102的博客

用户可以直接运行装载在Nor Flash里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本，Nor Flash需要较长的时间进行擦写，但它提供完整的寻址与数据总线，并允许随机动态存取器件上的任何区域，使得它可以支持XIP，取代老式的ROM芯片（存储几乎不需更新的代码），例如BIOS。除了标准的4线配置之外，多输入/输出操作利用增强的SPI协议，将SPI扩展为包括各种IO标准，包括用于减少引脚数的单路和在标准SPI基础上增加了额外的数据线，用于提高吞吐量的双或四路I/O（若配置为四路，则称为QSPI）。

主板BIOS、数字机顶盒、家庭网关、路由器、loT、汽车电子、穿戴式设备、安防监控、人工智能等领域的代码存储媒介中都有NOR。其中，智能穿戴、AMOLED屏、手机摄像、loT设备、汽车电子、5G基站、增强现实、虚拟现实具备较大增长空间。近年来，NOR Flash全球市场主要集中于五大巨头，分别是旺宏电子、华邦电子、Cypress、美光、兆易创新五大企业。(2)NOR的传输效率很高，在1-4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。，类似于NAND门。

nor flash

为了可靠的操作（在编程单元和擦除单元之间有一个裕度），以确保在长时间的使用中，电荷不会从“0”翻转到“1”。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。浮动栅存储电子的能力就逐渐减弱，Erase margin 和 Program margin的区别会越来越小，当两者相交时，就会造成存储的数据错乱。一个高的，正电压(大约+8 V)应用到普通的p井，吸引困住的电荷在MOSFET的浮动栅内。这两个电压叠加在一起，形成一个巨大的电场，使电子“隧道”穿过氧化物屏障。

本文主要介绍NAND flash和NOR flash储存原理和从多个方面对比两种闪存的差异点。NOR闪存是由Intel公司开发的，是一种随机访问设备，具有专用的地址和数据线（和SRAM类似），以字节的方式进行读写，允许对存储器当中的任何位置进行访问。而NAND闪存则没有专用的地址线，不能直接寻址，是通过一个间接的、类似I/O的接口来发送命令和地址来进行控制的，这就意味着NAND闪存只能够以页的方式进行访问。NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。