【嵌入式硬件】MOS管

 1.MOS管概述

      MOS管是一个四端器件，具有源极 (S)、漏极 (D) 和栅极端子 (G) 和体 (B) 端子。主体经常连接到源端子，将端子减少到三个。它通过改变电荷载流子（电子或空穴）流动的通道宽度来工作。

        本文图中是四端口画法，箭头的方向不是电流方向，而是衬底和沟道之间的PN结方向，和二极管一样，都是从P端指到N端。

        NMOS是N型沟道，P型衬底，衬底接最低电位；PMOS是P型沟道，N型衬底接最高电位。这样是为了源漏端和衬底形成P-N结反偏，不然电流从源漏端直接正向导通到地。

        NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通；PMOS是栅极低电平（|VGS| > Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。

        NMOS因Source端一般接地（低电位），所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压，这样管子才能导通；PMOS因Source端一般接VDD（高电平），所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压（低与VDD的电压），这样管子才能导通。

NMOS

  

PMOS

2.MOS管参数

（1）阈值电压(Vgs(th)@Id)：

        阈值电压是指当控制栅极电压达到一定数值时,MOS管开始导通的电压。

（2）PD（mos管的最大耗散功率）：

        该参数是指设计中，实际通过mos管的电流与漏源两端的电压差值乘积，不应大于该值。 所以该值的很大程度取决于mos管中实际流过的电流值。

（3）漏源电压(Vdss)

        在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。

（4）连续漏极电流(Id)

        该参数含义是mos可以持续承受的电流值，在设计中，产品的实际通过电流值应远小于该值，至少应小于1/3以下。