RAM、ROM、FLASH的区别总结

最新推荐文章于 2025-06-27 21:34:48 发布

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分类专栏： LIUNX小知识文章标签： LINUX 存储器

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本文介绍了RAM（包括SRAM和DRAM）与ROM的区别，重点讲述了Flash存储的类型和特性，如位反转、坏块、可擦除次数以及NOR与NAND Flash的区别。此外，还解释了DRAM的内存刷新机制，确保数据的连续性。

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1、RAM，主要分为两大类

SRAM（静态RAM：Static RAM）：SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备，它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

DRAM（动态RAM：Dynamic RAM）：DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，价格较SRAM便宜很多。常见的有SDRAM（同步DRAM：Synchronous DRAM）、DDR RAM，他们俩的不同之处在于DDR RAM可以在一个时钟读写两次数据，使得数据传输速度加倍。

2、ROM，被FLASH替代，不需要了解太多

3、FLASH,主要分为两大类
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4、总结

1、对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3点：位反转、坏块和可擦除次数。

2、Flash存储器件由擦除单元(也称为块)组成，当要写某个块时，需要确保这个块已经被擦除。NOR Flash的块大小范围为64KB～128KB；NAND Flash的块大小范围为8KB～64KB，擦/写一个NOR Flash块需4S，而擦/写一个NAND Flash块仅需2ms。NOR Flash的块太大，不仅增加了擦写时间，对于给定的写操作，NOR Flash也需要更多的擦除操作——特别是小文件，比如一个文件只有1KB，但是为了保存它却需要擦除大小为64KB～128KB的NOR Flash块。NOR Flash的接口与RAM完全相同，可以随意访问任意地址的数据。而NAND Flash的接口仅仅包含几个I/O引脚，需要串行地访问。NAND Flash一般以512字节为单位进行读写。这使得NOR Flash适合于运行程序，而NAND Flash更适合于存储数据。

3、将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一