MOS管、三极管识别与应用

简介

MOS管

结构

注：

1. NMOS通过电子形成沟道，实现导通；PMOS通过空穴形成沟道，实现导通；
2. 与衬底相连的是源极（S）；绝缘层上面的是栅极（G）；另一个是漏极（D）

图标

注：

1. 箭头方向是电子流动方向
2. 箭头方向与寄生二极管方向相同

应用

NMOS：导通Vgs > 0 (Vgs > Vth) → S接地 → D接负载
PMOS：导通Vgs < 0 (Vgs < Vth) → S接正 → D接负载

三极管

结构

注：

1. 箭头为E级，单引脚一侧为B级，剩下的是C级
2. 箭头方向是总电流方向
3. 箭头出为累加，箭头进为分散

应用

NPN：导通Vbe > 0.7V → E接地 → C接负载 → 电流BC流向E
PNP：导通Vbe < -0.7V → E接正 → C接负载 → 电流E流向BC

区间：Vce足够大，进入放大区；Vce足够小，进入饱和区

放大：Ic = βIb