DSP一个程序如何实现RAM和Flash两种下载方式,CCS9

DSP程序调试模式切换指南
本文详细介绍如何在DSP程序中轻松切换RAM与Flash调试模式,通过ControlSUITE软件及具体步骤,实现不同场景下的程序调试需求。

我们都知道,DSP在进行程序调试时有两种运行模式,一种是程序在RAM中运行调试,另一种是在Flash中运行调试,在RAM中的Debug时间特别短,板子一旦掉电程序将不复存在;在Flash中下载程序特别慢,但是板子掉电后程序不会丢失。可以说他们各有有缺点,也有他们的应用场景。

如何在一个程序中轻松进行这两种模式的切换呢?本文给出了作者探索的答案。

ControlSUITE是个TI的官方数据库软件,它提供了很多关于DSP的官方例程,这些例程均可使实现两种下载方式的切换。

下图是F2837xD的adc_soc_epwm_cpu01的例程,可以看到他有两种下载模式

只要在,Manage Configuration中选中你要的下载方式并Set Active该方式就可以实现切换。


如何使我们的程序实现这两种方式的切换呢?步骤如下。

首选新建一个任意下载方式的CCS程序,上篇文章中我们建立一个Flash下载的程序,该程序编译后没有问题,并且可以下载到DSP的Flash当中。

从上图可以看到在Configuration中只有Debug这一种,Debug由于我们之前的设置,他为Flash下载模型。接再来我们添加RAM模式。

1.点击New...

2.命名新的Configuration,名字尽可能通俗易懂,

3.配置相应的linker command file,最后一定要点Apply and Close,否则白配置了!

配置完编译后你会发现新的文件夹出现。


一般这个配置要在程序编写前开始!

<think> 首先,用户的问题是关于使用CCS(Code Composer Studio)进行多核编译时,对于RAMFLASH是否需要都编译还是选择其中一个编译。用户提供了多个引用资料,我需要参考这些资料来给出准确回答。 回顾引用内容: - 引用[1]讨论了多核DSP的内存分配问题,特别是Boot Magic地址的处理。如果各核编译独立工程,变量内存映射不同,就需要手动记录各核的Magic地址。 - 引用[2]提到双核DSP的复杂性,包括程序开发调试问题。 - 引用[3]是关于Multi 2000开发环境的描述。 - 引用[4]提供开发资料,包括DSP + ARM架构通信教程。 - 引用[5]详细解释了Boot Magic地址的位置内容,强调它是每个核固定的内存,存放_c_int00()的入口地址。 用户的核心问题:在CCS中进行多核编译时,对于RAMFLASH是需要都编译还是选择其中一个编译。 在嵌入式系统开发中,特别是DSP编程: - **编译(Compilation)**:指的是将源代码转换成目标代码的过程,通常生成可执行文件。 - **RAMFLASH**:指的是存储器的类型。FLASH是非易失性存储器,用于存储程序代码数据;RAM是易失性存储器,用于运行时执行代码存储临时数据。 在CCS中,编译过程涉及链接器配置文件(.cmd文件),该文件定义了代码数据在内存中的布局,包括FLASH(用于启动时加载)RAM(用于运行时)。 对于多核系统: - 每个核(core)通常有自己的内存空间,包括FLASHRAM区域。 - 在编译时,需要为每个核指定内存映射,确保代码数据正确放置。 - 引用[1][5]强调,如果各核独立编译,内存映射可能不同,导致需要手动处理地址。 用户的问题是“对于RAMFLASH是都要编译还是选择其中一个编译”。这可能指的编译过程中是否需要指定或处理RAMFLASH的配置。 在标准开发流程中: - 编译时,linker脚本定义了程序的memory sections,包括哪些部分放在FLASH(用于持久存储)哪些放在RAM(用于快速访问)。 - 在调试时,通常会将代码加载到RAM调试,因为RAM访问速度快,便于调试。 - 在部署时,代码会烧写到FLASH中,以便设备启动时加载。 具体到多核编译: - 在CCS中,对于一个多核项目,每个核可能需要独立的编译配置。 - 无论是调试还是部署,都需要指定RAMFLASH的映射。 - **编译时**:编译器会根据linker配置生成可执行文件,该文件包含代码数据在内存中的位置。 - 用户可能混淆了“编译”“加载/烧写”的概念。 - 编译(build)是源代码到可执行文件的转换。 - 加载(load)是将可执行文件放入RAMFLASH的过程。 在CCS中: - 当你在调试模式运行程序时,CCS通常会将代码下载到目标板的RAM中执行。 - 当你烧写程序FLASH时,代码被永久存储到FLASH,设备重启时从FLASH加载到RAM执行。 - 在编译过程中,你需要配置memory map,包括RAMFLASH区域,以便链接器知道如何放置代码。 对于多核系统: - 每个核的工程需要有自己的linker配置文件,定义其RAMFLASH区域。 - 编译时,必须为每个核编译代码,并指定RAMFLASH的映射,因为代码最终需要在RAM中运行(从FLASH加载或直接加载到RAM)。 - 引用[5]提到Boot Magic地址,这是在FLASH或指定地址中设置的,用于启动时跳转到_c_int00()。 所以,回答用户的问题: - **RAMFLASH都需要在编译过程中考虑**。因为在编译时,linker脚本定义了程序的section放置。例如,.text(代码)部分通常放在FLASH,.bss.data(变量)部分放在RAM。 - 在编译后,你可以选择运行在RAM(调试)或烧写到FLASH(部署)。 从引用[5]:“Boot Magic地址是每个核各自一块固定的内存”,它是在编译时指定的地址,存放入口函数地址。 因此,在CCS中进行多核编译: - 当你编译一个核的工程时,linker配置必须包括RAMFLASH的定义。 - 编译后,生成的可执行文件包含了内存布局信息。 - 在加载时,你可以选择加载到RAM(快速调试)或烧写到FLASH(持久存储)。 用户的问题是“都要编译还是选一个编译”。这里的“编译”可能被误解了。编译是针对源代码的,RAMFLASH是内存类型,不是编译选择项。编译过程本身不区分RAMFLASH编译;而是通过配置指定内存映射。 或许用户在想是否需要为RAM调试FLASH部署编译不同的版本: - 在CCS中,通常使用同一个编译输出,但加载方式不同。 - 调试时,加载到RAM;部署时,烧写到FLASH。 - 编译一次,就可以用于两种方式,前提是linker配置正确。 参考引用[5]:它讨论了多核程序烧写到SPI Nor Flash,这涉及烧写过程。 总结回答: - **在编译时,RAMFLASH都需要在linker配置文件中定义**,因为程序需要在RAM中运行,但代码初始存放在FLASH中。 - 每个核都需要独立编译,指定其内存映射。 - 编译后,你可以选择将程序加载到RAM调试或烧写到FLASH部署。 生成相关问题: - 根据指令,我需要生成相关问题。问题应基于当前主题:多核DSP编译内存管理。 - 相关问题可以包括:如何配置linker文件、调试技巧、烧写方法等。 最终回答结构: - 清晰、分步解释。 - 使用中文。 - 添加引用标识,引用末尾自然添加[^n]。 - 生成相关问题。 </think> ### 回答您的疑问 在使用CCS(Code Composer Studio)进行多核DSP编译时,**RAMFLASH都需要在编译过程中处理**,而非选择其中一个。以下是详细解释,帮助您逐步理解原因操作流程: #### 1. **编译过程的本质** - 在CCS中,"编译"(build)包括源代码编译链接(linking)两个阶段: - **编译阶段**:将C/C++源代码转换为目标文件(.obj)。 - **链接阶段**:通过链接器配置文件(.cmd文件)定义内存映射,将目标文件中的代码段(如`.text`)数据段(如`.data`或`.bss`)分配到具体的内存地址中(包括RAMFLASH区域)。 - **为什么RAMFLASH都需要?** - **FLASH**:用于存储程序的永久代码常量数据。设备上电时,Bootloader会从FLASH加载程序RAM执行(例如,Boot Magic地址存储的`_c_int00()`入口函数地址,确保核启动后跳转到正确位置)[^5]。 - **RAM**:用于运行时执行代码存储变量。多核系统中,每个核(如CPU1、CPU2)有独立的RAM区域,需在编译时分配以避免冲突。 - 如果只考虑其中一个,会导致程序无法正常运行:忽略FLASH则无法启动;忽略RAM则运行时变量临时数据无处存放。 #### 2. **多核编译的具体操作** - **独立工程 vs 统一工程**: - 如果多核使用**独立工程编译**(每个核有单独的.c.cmd文件),您必须为每个核的工程**分别配置RAMFLASH映射**。例如,在.cmd文件中明确指定: - FLASH区域:存放初始化代码常量(如Boot Magic地址)。 - RAM区域:存放堆栈、全局变量等运行时数据。 - 引用[1]提到,如果各核独立编译,内存映射可能不一致,此时需手动记录各核的Boot Magic地址并硬编码到核0的代码中[^1]。 - 如果使用**统一工程编译**(如TI提供的多核示例工程),CCS允许通过一个工程管理所有核,但您仍需在链接脚本中为每个核定义RAMFLASH区域。 - **调试 vs 部署**: - **调试阶段**:通常将程序加载到RAM运行(速度快,便于单步调试)。在CCS的"Run"配置中,选择"Load Program to RAM"。 - **部署阶段**:需将程序烧写到FLASH(持久存储)。使用CCSFlash烧写工具(如TI UniFlash),将编译生成的可执行文件(.out)写入FLASH。 - 编译输出是同一个文件(.out),但加载方式决定使用RAMFLASH。编译本身不区分"RAM编译"或"FLASH编译",而是通过链接配置加载选项实现[^2][^5]。 #### 3. **实际操作建议** - **步骤指南**: 1. **配置链接文件**:为每个核的工程编辑.cmd文件,定义RAMFLASH的起始地址大小(参考芯片手册,如TMS320C6678的Boot Magic地址为0x1x87FFFC[^5])。 - 示例.cmd片段: ``` MEMORY { FLASH: origin = 0x00000000, length = 0x100000 /* 1MB FLASH */ RAM: origin = 0x80000000, length = 0x200000 /* 2MB RAM */ } SECTIONS { .text > FLASH .data > RAM .bss > RAM } ``` 2. **编译生成.out文件**:在CCS中执行"Build"命令,生成每个核的可执行文件。 3. **加载或烧写**: - 调试:右键工程 → "Load" → 加载到RAM。 - 部署:使用"Tools" → "Flash Programming"烧写到FLASH。 - **常见问题**: - 如果RAM/FLASH映射错误,会导致多核通信失败或启动故障(如核0无法引导其他核)[^1][^2]。 - 建议使用TI提供的多核开发包(如F2838x系列的示例),其中已预置合理的RAM/FLASH配置[^4]。 #### 4. **引用关键点** - 多核编译必须处理RAMFLASH,因为Boot Magic地址(存储在FLASH)决定了核的启动入口,而运行时执行依赖RAM[^5]。 - 双核调试的复杂性要求精确的内存映射,否则可能出现程序不运行或通信错误[^2]。 - 对于独立工程编译,需手动处理各核地址映射,增加开发难度;推荐使用统一工程模板简化流程[^1][^4]。 ###
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