qq_36686804的博客

**硅分的区分：**非晶硅，多晶硅，单晶硅硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98%是硅，半导体硅工业产业包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等。其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，如整流二极管、硅可控整流器、大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。1、为什么用单晶硅做衬底？保证器件结构的致密性和稳定性。单晶硅是由多晶硅提纯而来的，多晶硅内有很多晶向的小单元，而单晶硅只有一种晶向。常用到的是<111>和<100&gt

在图1.1（a）种，如果晶体管的电压增益为-A，则电容CF等效到输入节点X的电容为而电容CF等效到输出节点Y的电容为如果增益A很大，CX近似为ACF，CY近似为CF图1.1（a）中，密勒补偿电容CF和晶体管形成环路，引入一个零点。**按零点的含义，可以理解是输入电压VX通过两支路到达节点Y，造成的影响相互抵消，即电流i1+i2=0，**则有求得零点为上式的零点为右半平面零点。在图1.1（b）中，与电容CF串上电阻RF，将右半平面零点转为左半平面。则有求得零点为上式中，只要串联电阻

在Cadence中用ADE仿真使坐标以10的次方显示在这次噪声仿真中，显示的噪声功率谱密度如下：在上图中，想使横坐标以10的n次方显示，怎么办？？解决方法在Analyses->choosing Analyses的noise设置上图是原来噪声的设置修改频率显示范围，最好是带小数点的值设置（具体原因自行理解）。显示的噪声频谱图如下：、...

画完其它版图，把放在最后画的电容绘制好跑LVS时，出现以下问题：Source netlist references but does not define 1 subckt: mim2_typ2_ckt图片：分析：表示未定义mim2_typ2_ckt这个器件，因此需要添加了一个文件来定义这个器件。点击inputs->在Netlist的Spice Files中添加文件，我添加了LVS中的empty_subckt.sp。然后点运行，LVS顺利跑通。...

有关保护环的作用，可参考以下连接：【原创】保护环（guardring）_特瑞_新浪博客 (sina.com.cn)第一个问题就是保护环，可以理解更深一点：国腾笔试 - 百度文库 (baidu.com)

准备工作：PC、linux、工艺库文件（PDK）添加工艺库文件如下：1、这里假设安装tsmc18rf工艺库，下图是未安装工艺库图像。2、打开libary path。3、根据下图点击add library。4、找到放工艺tsmc18rf的路径。5、点击保存。6、现在可以在第一张图的窗口中看到tsmc18rf工艺库了，开始调用调用器件。注意：部分工艺库按照以上步骤安装时可能会遗失部分器件，因此需要按照工厂给的PDK安装方式进行安装。参考来源：caden

运算放大器理解运算放大器许多重要的问题都有很好的解释，也很全面，适合初学者学习，以及专业人士的回顾复习和查漏补缺。来源：http://www.360doc.com/content/15/0903/15/2428535_496647143.shtml（运算放大器知识经典问答）...

什么是CCII回转器？它有什么作用？资源参考地址：http://www.elecfans.com/d/1111962.html

上图为积分运算电路。根据“虚短”和“虚断”特性，有UN=UP=0、iN=iP=0，因此可知，流过电容C的电流等于流过电阻R1的电流，即输出电压为式中表明输出电压与输入电压的积分成正比，负号表示电路实现反相功能，故称为反相积分运算电路，式中的R1C为积分时间常数。为了满足积分运算关系，则要求积分时间常数R1C必须大于输入信号周期T。求解t1到t2时间段的积分位时，则有式中，uo(t1)为初始时刻t1时uo的初始值，所求出的输出电压uo的终值是t2时刻的输出电压值uo(t2)。当输入电压ui为.