Nand flash相关概念介绍

本文详细介绍了SDR和DDR内存技术的区别,包括信号触发方式、同步与异步操作模式,以及ONFI和Toggle两种Flash接口标准。深入探讨了ToggleDDRNAND如何通过双向DQS信号控制读写操作,实现传输速度翻倍,并保持较低功耗。

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1. SDR/DDR

SDR(Single Data Rate): 读写数据使用上升沿或下降沿。

DDR(Double Data Rate):写数据时通过MCU来控制DQS信号跳变沿来触发(即上升沿和下降沿均触发)。

2. 同步/异步

Sync模式是指Flash操作时需要一个源时钟来对锁存信号进行同步,提高信号采集的准确性。

Async,即不需要时钟信号来进行同步,数据通过WEN/REN来锁存。DDR模式时,为了提升了信号的准确性,采用了差分信号。如上图所示。

3. ONFI/Toggle

ONFI(Open Nand Flash Interface),由Hynix、Inter、Micron、Phison、Sony、Spansion于2006年共同创建的一个Nand Flash的接口标准。

Toggle,是Samsung和Toshiba以DDR为基础制定的Flash接口标准,是为了对抗ONFI的标准。Toggle1.0对应DDR1,Toggle2.0对应DDR2。Toggle DDR NAND采用双向DQS信号控制读写操作,信号的上升与下降沿都可以进行资料的传输,能使传输速度翻倍,接口带宽为133MB/s,而且没有内置同步时钟发生器(即NAND还是异步设计),因此其功耗会比同步NAND更低。

4. 闪存的同步和异步

同步与异步闪存都是同一生产线上下来的,颗粒品质的优劣才产生了这样的区别。

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