内存BANK及RANK的概念

逻辑BANK
在平面坐标系中，要确定一个点就要先找到它的横坐标和纵坐标。而在内存中数据的定位也很相似，内存中的数据结构就是一个大的数据阵列，为了便于理解，我们把它假想成一个大的表格，前面我们提到的平面坐标系中的点，在这里我们可以理解为经过定位后的单元格，当然在一个单元格中不是只有1bit的数据，而是由多个bit组成一个组放在单元格内，这里一个单元格我们可以称作一个组，这个单元格的位数也就是内存逻辑Bank的位宽。
在进行数据读取时，先进行行的选定，再进行列的选定，最后再从这个单元格中读取出所需要的数据。
而这由许许多多的单元格组成的大表我们就可以理解成逻辑Bank，当然因为制造工艺及数据寻址的原因，不可能让这个表格无限大，一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，即多逻辑Bank。随着内存芯片容量的不断增加，逻辑Bank数量也在不断增加，早期的16Mbit之类的芯片采用的还是两个逻辑Bank的设计，现阶段常见内存芯片的Bank一般为4个（不包括Rambus），这点大家可通过内存条的编码进行识别。
内存芯片设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑Bank进行操作（实际上内存芯片的位宽就是逻辑Bank的位宽），而不能对所有逻辑Bank同时操作。所以逻辑Bank的地址线是通用的，只要再有一个逻辑Bank编号加以区别就可以了。内存芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据能够一次全部读出。

RANK，即物理BANK
含义就是指内存和主板北桥芯片之间传递数据的通道，自586以后的CPU数据总线均为64bit位宽，而CPU一次只能对一个物理Bank进行访问，所以一般情况下我们就把64bit作为一个物理Bank（Physical Bank）
由于CPU一次只能打开一个物理Bank，在单芯片上也只能打开一个逻辑Bank，这样我们就知道逻辑Bank的位宽也就是单芯片的位宽了，我们把芯片的数据宽度和芯片的数量相乘再除以64就得到了内存条的物理Bank数了，即内存的Bank数=数据宽度×芯片数量/64。

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双面内存和单面内存区别：
1、双面内存是比较旧的技术，单面内存是新技术；
2、双面内存是因为单个颗粒的容量低，为了容纳更大的容量，必须使用更多的颗粒，双面都使用到；
3、双面内存电路复杂、颗粒多，所以出故障的机率更多；而单面内存电路较简单，出错概率小，稳定性高。
综上，一般推荐使用单面内存。