PAT (Basic Level)1026 程序运行时间by JAVA

本文介绍了一种在C语言中测量程序运行时间的方法,利用time.h头文件中的clock()函数,结合常数CLK_TCK,计算出函数的运行时间,并以hh:mm:ss格式输出。示例代码展示了如何读取输入的时钟打点数,计算时间差并转换为标准时间格式。

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要获得一个 C 语言程序的运行时间,常用的方法是调用头文件 time.h,其中提供了 clock() 函数,可以捕捉从程序开始运行到 clock() 被调用时所耗费的时间。这个时间单位是 clock tick,即“时钟打点”。同时还有一个常数 CLK_TCK,给出了机器时钟每秒所走的时钟打点数。于是为了获得一个函数 f 的运行时间,我们只要在调用 f 之前先调用 clock(),获得一个时钟打点数 C1;在 f 执行完成后再调用 clock(),获得另一个时钟打点数 C2;两次获得的时钟打点数之差 (C2-C1) 就是 f 运行所消耗的时钟打点数,再除以常数 CLK_TCK,就得到了以秒为单位的运行时间。

这里不妨简单假设常数 CLK_TCK 为 100。现给定被测函数前后两次获得的时钟打点数,请你给出被测函数运行的时间。
输入格式:

输入在一行中顺序给出 2 个整数 C1 和 C2。注意两次获得的时钟打点数肯定不相同,即 C1 < C2,并且取值在 [0,10​7​​]。
输出格式:

在一行中输出被测函数运行的时间。运行时间必须按照 hh:mm:ss(即2位的 时:分:秒)格式输出;不足 1 秒的时间四舍五入到秒。
输入样例:

123 4577973

输出样例:

12:42:59

//注意,pat的java评测系统要求字符串打印输出最后必须有换行符,所以本程序main函数最后一行是必须的,否则0分。

import java.io.BufferedReader;
import java.io.IOException;
import java.io.InputStreamReader;

public class Main {
	public static void main(String[] args) throws IOException {
		BufferedReader br=new BufferedReader(new InputStreamReader(System.in));
		String s[]=br.readLine().split(" ");
		int start=Integer.valueOf(s[0]);
		int end=Integer.valueOf(s[1]);
		
		int diff=end-start;
		int second;
		if(diff%100>=50){
			second=(diff/100)+1;
		}else {
			second=diff/100;
		}
		int hours=second/3600;
		int minutes=(second%3600)/60;
		int seconds=(second%3600)%60;
		
		print_2digits(hours);
		System.out.print(":");
		print_2digits(minutes);
		System.out.print(":");
		print_2digits(seconds);
		
		
	}
	static void print_2digits(int i){
		if (i<10) {
			System.out.print("0");
			System.out.print(i);
		}else {
			System.out.print(i);
		}
	}

}



资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供
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