qq_31110355的博客

1 Silvaco学习了解渠道Silvaco官网 silvaco.comUser’s manual，在软件安装包中基本会有。Silvaco软件下的例子书籍《半导体工艺和器件仿真软件Silvaco实例教程》2 栅帽高度对Cgs影响仿真2.1 仿真流程1）网格设置2）区域、电极、接触金属设置3）计算模型和方法4）求解5）结果展示6）高度改变的循环2.2 器件结构 2.3 代码#change GT size and CF trendgo internalset leng

0 前言刻蚀是芯片制造中除光刻外最重要的步骤，主要目的是将光刻胶上的形状准确的留在芯片表面。这是一个庞大的体系，本次总结的论文阅读量较低导致涉及到的方面比较少，还需以后更多的内容补充，但作为一个节点输出也是必要的。1 刻蚀基本知识刻蚀主要分为湿法和干法两大类。两者特点为：精度刻蚀方向步骤湿法刻蚀低各项同性表面处理、光阻去除干法刻蚀高各项异性SiN、栅刻蚀、SiC刻蚀评价刻蚀质量主要参数：速率、均匀性、准确性、选择比、刻蚀角度等。速率：顾名思义，刻蚀

1. -set error拷贝示例并重新命名后，在-set xxx.set语句发生错误。错误为：Unable to load set file: xxx.setThe file cannot be accessed.如错误所示，未找到set文件，解决方法是：在tonyplot画图后，设置好相应的显示参数，点击File-Save Set Files…，将文件命名为xxx.set，一定要在名称中加上后缀.set，Silvaco才能识别，保存在工作路径下。在设置好后，运行代码，会弹出warning

AlGaN/GaN HEMT 富Si的双层SiN钝化层总结1 双层SiN钝化层结构以下是几类钝化层结构实验设计对比设置@Huang Tongde1Chip1: 50-nm in-situ SiNxChip2: 59-nm ex-situ SiNx by PECVD with NH3 plasma pre-treatment at 300CChip3: bilayer LPCVD SiNx, Si rich(10nm, DSC:NH3 flow 220:30,820C), SiNx(DSC:NH

PH——Alignment Mark涂胶脱水烘焙晶圆表面干燥，从亲水变成厌水。脱水烘焙属于物理层面提高光刻胶粘合能力的方法，有三种方式：加热、环境湿度控制、氮气净化过的干燥器。涂底胶化学层面。旋转式、蒸气式。光刻胶3.1涂抹方式：静态+旋转、动态喷洒、移动手臂3.2光刻胶组成：聚合物、溶剂、添加物、光敏剂软烘焙4.1 目的：蒸发光刻胶中的一部分溶剂。4.2 硬烘焙&软烘焙：软烘焙让光刻胶和晶圆粘结更好，太多的溶剂会影响光刻效果。不使用硬烘焙是过度烘焙使得光刻胶中聚合物产生聚合