DRAM(二)

最新推荐文章于 2024-11-04 22:00:34 发布
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DDR Mode Register Set(MRS)

burst Length:连续读出字节数

burst Type: Sequential (memory device 中bank1 中的地址为0x00,0x01,依次排列)；InterLeave(交错模式，bank1的地址为0x00,bank2的地址为0x01)。

CAS Latency:,如图所示为CAS延时。memoryDevice 中的延时需要和控制器中的延时相等。

WR：从写入数据，到预充电的时钟周期。

读时序：

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在常见的DDR3和DDR4内存中，标准突发长度是8（BL8），意思是一次能传8个数据字。比如只想更新一小块数据，传8个字就有点浪费了，既占带宽，又费电。比如只需要改一部分数据，用BC4就能少传点东西，电就不用白白浪费了。2 效率高
如果任务只需要改一小块数据，BC4能更快干完活，不用等那么久，整体速度就上去了。• 嵌入式系统
像一些小设备，资源不多，用Burst Chop能省电还能跑得顺。• A12 是低电平（0），就用BC4，传4个字。• A12 是高电平（1），就用BL8，传8个字。
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分享记录一下工作中遇到的相关知识
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CAS＃ Latency：行地址控制器延迟时间，简称CL。表示从bai已经寻址的行，到达输du出缓存器的数zhi据所需要的时钟循环数。对内存来说，这是最重要的一个参数，这个值越小，系统读取内存数据的速度就越快，反之越慢。 RAS＃ to CAS＃：dao列地址至行地址的延迟时间，简称RCD，表示在已经决定的列地址和已经送出行地址之间的时钟循环数，以时钟周期数为单位，该值越小越好。 RAS# Precharge：列地址控制器预充电时间，简称tRP，表示对回路预充电所需要的时钟循环数，以决定列地址。同样以时钟周
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