宁静致远

/********************************************************************************* 文件名：DS18B20.c* 描 述：温度传感器DS18B20驱动模块*****************************************************************************

#include #include #define i2cDelay() {_nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_();}sbit i2c_scl = P3^7;sbit i2c_sda = P3^6;void i2cStart() { i2c_sda = 1; i2c_scl = 1; i2cDelay(); i2c_sda

/********************************************************************************* 文件名：eeprom.c* 描 述：EEPROM芯片24C02读写驱动模块***************************************************************************

#include #include "utilities.h"#define LCD1602_DB P0sbit LCD1602_RS = P1^0;sbit LCD1602_RW = P1^1;sbit LCD1602_E = P1^5;void LCDWaitReady() { uchar state; LCD1602_DB = 0xFF; LCD16

/** * 文件名：LCD1602.c * 描 述：1602字符液晶驱动模块 */#include #include "stdint.h"#include "LCD1602.h"#define LCD1602_DB P0sbit LCD1602_RS = P1^0;sbit LCD1602_RW = P1^1;sbit LCD1602_E = P1^5;/* 等待液晶

float T, Kp, Ti, Td; //constfloat A, B, C;void calcConst(){ A = Kp * (1 + T / Ti + Td / T); B = -Kp * (1 + 2 * Td / T); C = Kp * Td / T;}float PID(float rt, float yt){ stati

#include #include "utilities.h"sbit KEY_OUT_3 = P2^0;sbit KEY_OUT_2 = P2^1;sbit KEY_OUT_1 = P2^2;sbit KEY_OUT_0 = P2^3;sbit KEY_IN_0 = P2^4;sbit KEY_IN_1 = P2^5;sbit KEY_IN_2 = P2^6;sbit KEY

#include #include /* 将一个字节存储的2位BCD码解码成普通的二进制数 */uint8_t decode(uint8_t BCD) { uint8_t geWei, shiWei; geWei = BCD & 0x0F; shiWei = BCD >> 4; return shiWei * 10 + geWei;}int main(

DS1302.h#ifndef _DS1302_H#define _DS1302_Hsbit DS1302_CE = P1^7;sbit DS1302_SCLK = P3^5;sbit DS1302_IO = P3^4;typedef struct sTime { //日期时间结构体定义 uint16_t year; //年 uint8_t mon; //

OneWire.h#ifndef _ONEWIRE_H#define _ONEWIRE_Hsbit ONEWIRE_PIN = P1^4; //检查通信引脚是否正确！bit OneWire_reset();void OneWire_write(uint8_t dat);uint8_t OneWire_read();#define OneWire_skip() OneWir

DS18B20.h#ifndef _DS18B20_H#define _DS18B20_Hbit DS18B20_start();bit DS18B20_getTemperature(int16_t * temp);uint8_t getIntPart(int16_t temp);uint8_t getDecPart(int16_t temp);bit getSign(int1

#ifndef STDINT_H_INCLUDED#define STDINT_H_INCLUDEDtypedef unsigned char uint8_t;typedef unsigned int uint16_t;typedef unsigned long uint32_t;typedef char int8_t;typedef int int16_t;typedef lon

#include #include /* DS18B20温度格式转换 */uint8_t tempIntPart[3];uint8_t tempDecPart[4];float convertToFloat(int16_t temperature) { float temp; temp = (float)temperature; temp /= 16.0f;

#define lowByte(word) ((uint8_t)(word))#define highByte(word) ((uint8_t)(word >> 8))#define bitRead(val, bit) (((val) >> (bit)) & 0x01)#define bitSet(val, bit) ((val) |= (1 << (bit)))#define bitCl

#include #include "utilities.h"sbit KEY_OUT_3 = P2^0;sbit KEY_OUT_2 = P2^1;sbit KEY_OUT_1 = P2^2;sbit KEY_OUT_0 = P2^3;sbit KEY_IN_0 = P2^4;sbit KEY_IN_1 = P2^5;sbit KEY_IN_2 = P2^6;sbit KEY

作用volatile的作用是： 作为指令关键字，确保本条指令不会因编译器的优化而省略，且要求每次直接读值.简单地说就是防止编译器对代码进行优化.比如如下程序：1234XBYTE[2]=0x55;XBYTE[2]=0x56;XBYTE[2]=0x57;XBYTE[2]=0x58;对外部

#include #include "utilities.h"sbit KEY_OUT_3 = P2^0;sbit KEY_OUT_2 = P2^1;sbit KEY_OUT_1 = P2^2;sbit KEY_OUT_0 = P2^3;sbit KEY_IN_0 = P2^4;sbit KEY_IN_1 = P2^5;sbit KEY_IN_2 = P2^6;sbit KEY

对于无符号数来说，左移和右移都是用的逻辑移位，即左移低位空出的补0，右移高位空出的补0；对于有符号数来说，用的是算术移位，左移多出的会移进符号位，右移在gcc编译器下是算术右移，即空出的高位补符号位。例：int16_t n = 0x4000; //此时符号位为0n int16_t num = 0x8000; //此时符号位为1num >>= 1; //此时n为0xC

汇编语言中的逻辑右移(SHR)是将各位依次右移指定位数，然后在左侧补0，算术右移(SAR)是将各位依次右移指定位数，然后在左侧用原符号位补齐。比如，在汇编语言中，对于算术右移，如果最高位为1，则补1，否则补0， 如将10000000算术右移7位，应该变成11111111，而逻辑右移7位，则不考虑符号位，变为00000001，这点就是算术右移和逻辑右移的区别。在汇编中，可以用算术右移来进行有

FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易