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开关电源 理想通断波形和真实通断波形

IGBT 与mos管相比  优缺点。导通压降为定值，结果为导通损耗低。  

三极管与mos管 比较优缺点，  三极管做LDO时方案，关断时一直有损耗

MOS管 发热大时，影响产品性能。 

电容上没有串联电阻时，  产生浪涌电流的损害。