008

本文介绍了一个简单的C语言程序,该程序从用户输入的两个整数范围内进行累加求和,并按每五个数一行的方式打印这些整数,最后输出总和。
008
#include <stdio.h>
int main()
{
	int a,b;
	scanf("%d%d",&a,&b);
	int i = 0,count = 0,Sum = 0;
	for (i = a;i <= b;i++)
	{
		Sum += i;
		count++;
		printf("%5d",i);
		if(count % 5 == 0)
			printf("\n");
	}

	printf("\n");
	printf("Sum = %d",Sum);
	return 0;
	
}

07-17
CY7C008 是 Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)公司生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。它属于高速异步SRAM类别,通常用于需要快速数据访问的应用中,例如网络设备、通信系统工业控制设备等。 ### 规格书 CY7C008 的规格书通常包含以下信息: - **存储容量**:CY7C008 提供 8K x 8 位的存储容量,即总共 64K 位的存储空间。 - **访问速度**:其访问时间通常在 10ns 左右,具体取决于型号工作条件[^1]。 - **电源电压**:工作电压通常为 5V,确保在标准工业环境中稳定运行[^2]。 - **封装类型**:该芯片通常采用 28 引脚 DIP(双列直插式封装)或 28 引脚 SOIC(小型集成电路封装)[^3]。 - **工作温度范围**:工业级温度范围通常为 -40°C 至 +85°C,适用于大多数工业环境[^4]。 ### 使用方法 在使用 CY7C008 芯片时,需注意以下关键点: - **地址线与数据线**:该芯片有 13 条地址线(A0-A12) 8 条数据线(D0-D7),用于寻址数据传输。 - **控制信号**:CY7C008 通常需要以下控制信号: - **CE(Chip Enable)**:芯片使能信号,低电平有效。 - **OE(Output Enable)**:输出使能信号,低电平有效,用于控制数据输出。 - **WE(Write Enable)**:写入使能信号,低电平有效,用于控制写入操作。 以下是 CY7C008 的基本操作时序示例: ```c // 写入操作示例 void write_Cy7c008(unsigned int address, unsigned char data) { // 设置地址 setAddress(address); // 设置数据 setData(data); // 拉低 CE WE 以开始写入 setCE(LOW); setWE(LOW); // 保持一段时间后释放 delay(1); setWE(HIGH); setCE(HIGH); } ``` ```c // 读取操作示例 unsigned char read_Cy7c008(unsigned int address) { // 设置地址 setAddress(address); // 拉低 CE OE 以开始读取 setCE(LOW); setOE(LOW); // 读取数据 unsigned char data = getData(); // 释放控制信号 setOE(HIGH); setCE(HIGH); return data; } ``` ### 技术文档 Cypress 官方网站提供了 CY7C008 的详细技术文档,包括数据手册(Datasheet)、应用笔记(Application Notes)封装信息等。用户可以通过以下步骤获取这些文档: 1. 访问 [Cypress 官方网站](https://www.cypress.com/)。 2. 在搜索栏中输入 "CY7C008"。 3. 在产品页面中,选择 "文档" 或 "资源" 部分,下载数据手册相关应用笔记。 此外,一些第三方电子元器件分销商(如 Digi-Key、Mouser、Arrow)也提供 CY7C008 的技术文档规格书下载。 ### 注意事项 - **电源去耦**:在电源引脚附近添加去耦电容(通常为 0.1µF 10µF 并联),以减少噪声干扰。 - **信号完整性**:高速信号线应尽可能短,并避免与其他高速信号线平行布线,以减少串扰。 - **热管理**:虽然 CY7C008 功耗较低,但在高密度 PCB 设计中仍需考虑散热问题。 如果需要更详细的设计指导或特定应用案例,建议查阅 Cypress 提供的官方技术文档。
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