本文深入探讨了电子结构计算中的关键参数，如电子步数(N)、体系能量(E)、能量差(dE)及算法如DAV、RMM和CG的作用。同时，解释了这些参数在OUTCAR文件中的对应项，如F代表几何优化次数，F后的能量为体系总能量，与TOTEN一致。
N 代表电子结构的迭代步数，通常被大家称为电子步
E 代表当前电子步的体系能量;
dE 当前电子步和上一步体系能量的差值;
d eps 能带结构能量的变化；
ncg 作用于波函数的哈密顿量的评价数；
rms 试用波函数的残差的范数（即它们的近似误差）；
rms(c) 输入和输出电荷密度之差
DAV(Blocked Davidson algorithm)，RMM （residual minimization scheme） 和 CG（conjugate-gradient algorithm），这些都是算法
F 前面的 1 代表几何结构优化的次数（也称为离子步的步数）
F = 是体系的总能量, 与OUTCAR中 free energy TOTEN 后面的值相等
E0 后面的能量对应OUTCAR中 energy (sigma->0)后面的能量
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