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电压信号的隔离传输系统设计一、设计任务：设计一种可实现低压信号隔离传输的电路方案。二、设计要求：1.输入电压信号0V-5V;2.采用模拟或数字方式实现输入、输出信号的隔离变换；3.经隔离变换后的输出电压等于输入电压。三、方案论证方案一、采用模拟方式实现电压信号隔离；选用PC817和LM353完成输入信号的放大、隔离、传输。该方案电路简单，其传输精度受光耦自身特性

1.GaN的特点：GaN与传统的MOS管不同，由于没有PN结，不存在体二极管，所以不会有反向恢复的问题；DS之间的导通是通过中间的电子层，所以可以双向导通，即常开。当需要关断时，G极加负压，实际当中不需要。（）2.GaN与cool-MOS比较更低的驱动损耗，100mA的驱动电流更低的米勒效应/更低的

二极管是一种只允许电流单一方向流过且具有两个电极的器件，许多使用的是应用其具有整流的功能。从材料方面，现在从各个方面考虑大多都选用硅二极管。一.二极管选择与使用时应该注意的问题1.注意电路中不能处理的反向恢复特性二极管使用成为问题的特性是正向电压和反向恢复特性。反向恢复特性是二极管导通时剩余的载流电子在器截至时不能瞬迅速消失引起的。反向耐压为60V以下SSD其反向恢复时间一般很小，可以

共模干扰（Common-mode）：两导线上的干扰电流振幅相等，而方向相同者 称为共模干扰。差模干扰（Differential-mode）：两导线上的干扰电流，振幅相等，方向相反 称为差模干扰

电阻器有不同的分类方法： 1.按材料分有：碳膜电阻、水泥电阻、金属膜电阻、线绕电阻、无感电阻、热敏电阻、压敏电阻、拉线电阻、贴片电阻    等。2.按功率分有：1/16w、1/8w、1/4w、1/2w、1w、2w等额定功率的电阻。3.按电阻值的精度分有：5%、10%、20%和0.1%、0.2%、0.5%、1%和2%。4.按用途分类：限流电阻、降压电阻、分压电阻、保护电阻、启动电阻、

一.直流指标1.输入失调电压（Input offset voltage）         在理想的运算放大器中，当运放输入的电压的为0时，输出的电压也应该为0，但实际中往往不是这样的，所以输入失调电压（Vos）的含义是为了让运放输出端达到0V，需要在两个输入端之间所加的补偿电压。Vos的极性是随机的，Vos 的典型值低于10mV。失调电压与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅

电容是一种经常用到的电子器件，它是由两片离得较近的金属片，中间再隔以绝缘物质组成。按绝缘物质不同，可分为不同的电容，如：云母、瓷介、纸介和电解电容。纸介电容：用两片金属箔作电机，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，然后密封在金属壳或者绝缘材料（如火漆、陶瓷、玻璃釉等）壳中制成。它的特点是体积小、容量可以做的较大。它的特点是体积较小、容量可以较大。但是固有电感和损耗比较大，用于低频

一.MOSFET与IGBT的区别从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET 的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题，从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右，结构如

实质是因为：对数运算把乘除法，表示成了加减法！这样分析更直观！比如：你的增益从 100倍 变化到 10倍，你怎么能 画图 直观表示这是缩小10倍变化？          要是用对数的话，直接用减小的DB 数可以精确作图，在对数坐标上表示，          可以更加简单直观用图表表示，一目了然！电压（电流）放大倍数分贝数定义：K=20lg( V0 / Vi

1.根据电压作为中间变量  计算电感L*di/dt=U=N*dO/dt两边同时积分后可得：LI=NO有因为O=BS,再两边同时乘上I可得：LNI=NNBS又因为NI=Hi,B=uH所以：LHi=NNuHS则：L=NNus/i所以我们一直说电感量的大小与匝数成平方的关系，当匝数变化比较小的时候，电感量的变化却很大。。。

在写运放的基本电路之前，首先说明一点，运放的“虚短”和“虚断”适用于深度负反馈的场合，这一点非常重要。运放的“虚短”和“虚断”不可通过单个运放的同向端和反向端来判断，必须要看整个电路结构。一.基本电路1.反向放大根据“虚短”和“虚断”的原理进行分析：（Vin-V-）/R2=（V--Vout)/R3