PinnsiR的博客

需要基本电路分析中的戴维南等效电路

如果真断了，没有电流了，也就是没有压降了，空隙会自动打开。BJT是双极性器件，有少子参与，受温度影响大。出厂的时候，会把源极s 和 衬底B 链接在一起，一旦衬底是单独的没连（四个极），那么d.s可互换。沟道越宽，ds两极之间的电阻越小，反之越大。控制上，FET通过电场控制，几乎没电流。，MOS FET，在此基础上 -> CMOS。吸引，ds两极之间形成 沟道，沟道中自由电子是多子，所以是N沟道。的电流，也就是成比例（只在恒流区），也就是场效应管的放大。，图线会上移，因为U_{gs} 越大，沟道越宽，

当使用栅极驱动IC的负载开关需要阻止电流反向流入负载开关的功能时，两个N沟道MOSFET在外部背对背连接（共源结构或共漏结构）。此功能即称为反向电流阻断。

此时，在基区中，来自发射区 扩散的 大量的自由电子经过基区向集电结扩散，同时基区中会发生复合。因为基区掺杂浓度低且厚度薄，而且基区的多子是空穴，那么只会有少数的自由电子经过基区时发生复合，而且在复合时，基区会在外电场的作用下重新产生新的自由电子。集电结是反偏的，也就是说，集电结反偏的时候，会向下产生一个很大的电场；在图中，发射结正偏，那么集电结必然是反偏，因为c处是两节电池的电压，N->P不导通。，因为集电结的反偏，产生了漂移运动，产生了电流，相当于是反偏饱和电流。，在基极开漏的时候，C和E之间的电流。

PN 结物理特性 + 半导体二极管 正反向特性学习