ATP自造8Gb内存颗粒供DDR3使用

ATPElectronics推出8Gb高密度DDR3内存颗粒,采用2xnm工艺制造,适用于工业级应用,包括DIMM、SO-DIMM及Mini-DIMM等多种规格,容量最高达32GB并支持ECC选项,特别为网络与嵌入式领域需求设计。

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随着整个行业已经全面转向DDR4内存,不少厂商都陆续停产了DDR3,并准备好了迎接DDR5,但对于很多特殊用户,尤其是网络和嵌入式领域,仍然对DDR3有着强劲且持续的需求。

工业内存存储厂商ATP Electronics今天宣布了自己研发的高密度8Gb DDR3颗粒,并承诺会确保DDR3内存的持续供应。

ATP这种内存采用了精心挑选和测试的高质量IC,采用2xnm工艺制造,整个模组也经历了广泛和深度的测试验证,并且不存在Row Hammer漏洞,不会导致数据泄露。

该内存提供多种规格可选,1CS单芯片封装的支持DIMM、SO-DIMM、Mini-DIMM规格,容量16GB,频率1600MHz,2CS双芯片封装的有16/32GB 1333/1600MHz DIMM、8GB 1600MHz Mini-DIMM,都可选是否支持ECC。

不过由于主要针对行业用户,ATP DDR3内存不会出现在零售市场上。

2018年9月,ATP曾与美光签署合作协议,在美光停产DDR2 SO-DIMM、UDIMM、RDIMM内存之后,自己继续生产DDR2内存,更早还获得了美光SDR、DDR内存模组的制造授权。

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