在4GB的地址空间中,ARM Cortex-M3已经粗线条的平均分成了8快,每块512MB,
每块也都规定了用途。每个快的大小都有512MB,显然这个非常大的,芯片厂商在
每个块的范围内设计各具特色的外设时,并不一定都用得完,都只是用了其中的一部分
而已。Cortex-M3的存储器映射如下图所示:

在这8个Block里面,由3个Block非常重要,也是我们最关心的三个块。
Block0用来设计成内部FLASH;
Block1用来设计成内部RAM;
Block2用来设计成片上的外设;
这三个Block内部具体区域 功能划分如下:
存储器Block0内部区域功能划分:Block0主要用于设计片内的FLASH,
STM32F103VET6的FLASH就是512K,属于大容量。以STM32F103VET6
(指南者)为例,其Block0内部区域的功能划分具体如下:

存储器Block1内部区域功能划分
Block1用于设计片内SRAM。我们使用的STM32F103VET6(指南者)的SRAM是64KB。
Block1内部区域的

ARM Cortex-M3的4GB地址空间被划分为8个512MB的块,其中Block0用于内部FLASH,Block1用于内部RAM,Block2用于片上外设。STM32F103VET6作为示例,其FLASH为512K,SRAM为64KB。Block2进一步细分为APB和AHB,以适应不同总线速度的外设。
最低0.47元/天 解锁文章
1331

被折叠的 条评论
为什么被折叠?



