在功率放大电路中,功放管既要流过大电流,又要承受高电压。例如,在 OCL 电路中,只有功放管满足式(9.2.13)所示极限值的要求,电路才能正常工作。因此,所谓功率放大电路的安全运行,就是要保证功放管安全工作。在实用电路中,常加保护措施,以防止功放管过电压、过电流和过功耗。
一、功放管的二次击穿
从晶体管的输出特性可知,对于某一条输出特性曲线,当 c - e 之间电压增大到一定数值时,晶体管将产生击穿现象;而且,IBI_{B}IB 愈大,击穿电压愈低,称这种击穿为 “一次击穿”。晶体管在一次击穿后,集电极电流会骤然增大,若不加以限制,则晶体管的工作点变化到临界点 AAA 时,工作点将以毫秒甚至微秒级的高速度从 AAA 点到 BBB 点,此时电流猛增,而管压降却减小,如图9.3.1(a)所示,称为 “二次击穿”。晶体管经二次击穿后,性能将明显下降,甚至造成永久性损坏。

IBI_BIB 不同时二次击穿的临界点不同,将它们连接起来,变得到二次击穿的临界区县,简称为 S/B\textrm {S/B}S/B 曲线,如图(b)所画。从二次击穿产生的过程可知,防止晶体管的一次击穿,并限制其集电极电流,就可避免二次击穿。例如,在功放管的 c - e 间加稳压管,就可防止其一次击穿。
二、功放管的散热问题
功放管损坏的重要原因是其实际耗散功率超过额定数值 PCMP_{CM}PCM。而晶体管的耗散功率取决于管子内部的 PN\textrm{PN}PN 结(主要是集电结)温度 TjT_jTj。当 TjT_jTj 超过允许值后,集电极电流将急剧增大而烧坏管子。硅管的结温允许值为 120∼180 ℃120\sim180\,℃120∼180℃,锗管的结温允许值为 85 ℃85\,℃85℃ 左右。耗散功率等于结温在允许值时集电极电流与管压降之积。管子的功耗愈大,结温愈高。因而改善功放管的散热条件,可以在同样的结温下提高集电极最大耗散功率 PCMP_{CM}PCM,也就可以提高输出功率。
1、热阻的概念
热在物体中传导时所受到的阻力用 “热阻” 来表示。当晶体管集电结消耗功率时,PN\textrm {PN}PN 结产生温升,热量从管芯向外传递。设结温为 TjT_jTj,环境温度为 TaT_aTa,则温差 ΔT(=Tj−Ta)\Delta T(=T_j-T_a)ΔT(=Tj−Ta) 与集电结耗散功率 PCP_CPC 成正比,比例系数称为热阻 RTR_TRT,即ΔT=Tj−Ta=PCRT(9.3.1)\Delta T=T_j-T_a=P_CR_T\kern 40pt(9.3.1)ΔT=Tj−Ta=PCRT(9.3.1)可见,热阻 RT\pmb{R_T}RT 是传递单位功率时所产生的温差,单位为 ℃/W℃/\textrm W℃/W。RTR_TRT 愈大,表明相同温差下能够散发的热能愈小。换言之,RTR_TRT 愈大,表明同样的功耗下结温升愈大。可见,热阻是衡量晶体管散热能力的一个重要参数。
当晶体管结温功耗达到最大允许值 TjMT_{jM}TjM 时,集电结功耗也达到 PCMP_{CM}PCM,若环境温度为 TaT_aTa,则ΔT=TjM−Ta=PCMRT\Delta T=T_{jM}-T_a=P_{CM}R_TΔT=TjM−Ta=PCMRTPCM=TjM−TaRT(9.3.2)P_{CM}=\frac{T_{jM}-T_a}{R_T}\kern 20pt(9.3.2)PCM=RTTjM−Ta(9.3.2)式(9.3.2)中,若管子型号确定,则 TjMT_{jM}TjM 也就确定。TaT_aTa 常以 25 ℃25\,℃25℃ 为基准,因而若要增大 PCMP_{CM}PCM,必须减小 RTR_TRT。
2、热阻的估算
以晶体管为例,管芯(J)向环境(A)散热的途径有两条:管芯(J)到外壳(C),再经外壳到环境;或者管芯(J)到外壳(C),再经散热片(S)到环境。即 J→C→A\textrm J\rightarrow \textrm C\rightarrow\textrm AJ→C→A 或 J→C→S→A\textrm J \rightarrow \textrm C\rightarrow\textrm S\rightarrow\textrm AJ→C→S→A,如图9.3.2(a)所示。设 J - C\textrm {J - C}J - C 间热阻为 RjcR_{jc}Rjc,C - A\textrm{C - A}C - A 间热阻为 RcaR_{ca}Rca,C - S\textrm {C - S}C - S 间热阻为 RcsR_{cs}Rcs,S - A\textrm{S - A}S - A 间热阻为 RsaR_{sa}Rsa,则反映晶体管散热情况的热阻模型如图(b)所示。

在小功率放大电路中,放大管一般不加散热器,故晶体管的等效热阻为RT=Rjc+Rca(9.3.3)R_T=R_{jc}+R_{ca}\kern 30pt(9.3.3)RT=Rjc+Rca(9.3.3)在大功率放大电路中,功放管一般均要加散热器,且 Rcs+Rsa<<RcaR_{cs}+R_{sa}<<R_{ca}Rcs+Rsa<<Rca,故RT≈Rjc+Rcs+Rsa(9.3.4)R_T\approx R_{jc}+R_{cs}+R_{sa}\kern 20pt(9.3.4)RT≈Rjc+Rcs+Rsa(9.3.4)不同型号的管子 RjcR_{jc}Rjc 不同,如 3AD30 的 RjcR_{jc}Rjc 为 1 ℃/W1\,℃/\textrm W1℃/W,而 3DG7 的 RjcR_{jc}Rjc 却大于 150 ℃/W150\,℃/\textrm W150℃/W,可见其差别很大。RcaR_{ca}Rca 与外壳所用材料和几何尺寸有关,如大功率管 3AD30 的 RcaR_{ca}Rca 为 30 ℃/W30\,℃/\textrm W30℃/W,而小功率管 3DG7 的 RcaR_{ca}Rca 为 150 ℃/W150\, ℃/\textrm W150℃/W。
式(9.3.4)中的 RcsR_{cs}Rcs 既取决于晶体管和散热器之间是否加绝缘层(如聚乙烯薄膜、0.05∼0.1 mm0.05\sim0.1\,\textrm{mm}0.05∼0.1mm 的云母片),又取决于二者之间的接触面积和压紧程度。RsaR_{sa}Rsa 与散热器所用材料及其表面积大小、厚薄、颜色,和散热片的安装位置等因素紧密相关。
3、功放管的散热器
两种散热器如图9.3.3所示。经验表明,当散热器垂直或水平放置时,有利于通风,故散热效果较好。散热器表面钝化涂黑,有利于热辐射,从而可以减小热阻。在产品手册中给出的最大集电极耗散功率是在指定散热器(材料、尺寸等)及一定环境温度下的允许值;若改善散热条件,如加大散热器、用电风扇强制风冷,则可获得更大一些的散热功率。

文章探讨了功率放大电路中功放管的关键问题,包括如何通过防止一次击穿和限制电流避免二次击穿,以及如何通过优化散热设计来确保功放管在安全工作范围内,尤其关注了热阻在散热中的作用和散热器的选择对功耗的影响。
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