IE下闭包引起跨页面内存泄露探讨

本文深入探讨了IE浏览器中跨页面内存泄露的问题,特别是在闭包与DOM元素相互引用的情况下。通过实例展示了如何检测泄露,并提供了几种有效的方法来解决该问题。
在ie的内存泄露中跨页面的泄露是最严重的,浏览器刷新了仍然无法释放掉泄露占用的资源,造成访问速度越来越慢,内存占用越来越大
closure引起cross page leak的主要原因是closure和dom元素的互相引用
看这个例子:

<div id="bb"><div id="aa">cc</div></div>
<script type="text/javascript">
function leakTest(){
var a=[];//用来加大闭包资源占用,方便观察
for(var i=0;i<100000;i++){
a.push('a');
}
var divA=document.getElementById('aa');
divA.kk=function(){};
divA.parentNode.removeChild(divA);
}
leakTest();
</script>

用sIEve看下发现这个页面每次刷新都会产生跨页面泄露,ie内存占用大了7MB,具体fins的文章中有过介绍
在这个例子中我们在leakTest()中创建了一个内部匿名函数并在dom元素aa的自定义属性kk中保存了他的引用,这就产生了一个闭包
divA.parentNode.removeChild(divA);
这句是产生泄露的主要原因,移除了aa并不会使这个节点消失,只不过在dom树上无法访问这个节点而已,由于闭包的存在divA这个局部变量不会被释放,而divA中保存着aa的引用,这就形成了一个循环引用,闭包保存了dom元素aa的引用,dom元素aa的自定义属性kk又保存了闭包内部的匿名函数的引用,所以在页面刷新的时候IE无法释放掉这个aa和闭包的资源,在我这个例子中就比较吓人,刷一下涨几MB内存
让我们删掉divA.parentNode.removeChild(divA);这句试试,发现没有泄露发生
我推测IE在刷新时会强行释放掉dom树上的元素,而不存在于dom树中的节点不会强行释放,所以造成了跨页面泄露,这是我的个人推测,有别的意见欢迎讨论
怎么解决这个问题呢,其实我们只要打断引用链就行了

<div id="bb"><div id="aa">cc</div></div>
<script type="text/javascript">
function leakTest(){
var a=[];
for(var i=0;i<100000;i++){
a.push('a');
}
var divA=document.getElementById('aa');
divA.kk=function(){};
divA.parentNode.removeChild(divA);
divA=null;
}
leakTest();
</script>

或者

<div id="bb"><div id="aa">cc</div></div>
<script type="text/javascript">
function leakTest(){
var a=[];
for(var i=0;i<100000;i++){
a.push('a');
}
document.getElementById('aa').kk=function(){};
document.getElementById('aa').parentNode.removeChild(document.getElementById('aa'));
//这个例子不保存aa的应用,也不会引起泄露
}
leakTest();
</script>

or

<div id="bb"><div id="aa">cc</div></div>
<script type="text/javascript">
function leakTest(){
var a=[];
for(var i=0;i<100000;i++){
a.push('a');
}
var divA=document.getElementById('aa');
divA.kk=function(){};
divA.parentNode.removeChild(divA);
return divA;
}
var divA=leakTest();
divA.kk=null; //这个可以看到内存占用比上面少了7MB,因为解除了对闭包内部函数的引用,闭包占用的资源被释放了
</script>

通过上面的例子可以看出,如果某个函数中dom元素保存了内部函数的引用,就会形成闭包,很容易引起泄露,务必小心
另firefox下测试是没有这些问题的
基于STM32 F4的永磁同步电机无位置传感器控制策略研究内容概要:本文围绕基于STM32 F4的永磁同步电机(PMSM)无位置传感器控制策略展开研究,重点探讨在不依赖物理位置传感器的情况下,如何通过算法实现对电机转子位置和速度的精确估计与控制。文中结合嵌入式开发平台STM32 F4,采用如滑模观测器、扩展卡尔曼滤波或高频注入法等先进观测技术,实现对电机反电动势或磁链的估算,进而完成无传感器矢量控制(FOC)。同时,研究涵盖系统建模、控制算法设计、仿真验证(可能使用Simulink)以及在STM32硬件平台上的代码实现与调试,旨在提高电机控制系统的可靠性、降低成本并增强环境适应性。; 适合人群:具备一定电力电子、自动控制理论基础和嵌入式开发经验的电气工程、自动化及相关专业的研究生、科研人员及从事电机驱动开发的工程师。; 使用场景及目标:①掌握永磁同步电机无位置传感器控制的核心原理与实现方法;②学习如何在STM32平台上进行电机控制算法的移植与优化;③为开发高性能、低成本的电机驱动系统提供技术参考与实践指导。; 阅读建议:建议读者结合文中提到的控制理论、仿真模型与实际代码实现进行系统学习,有条件者应在实验平台上进行验证,重点关注观测器设计、参数整定及系统稳定性分析等关键环节。
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