Multisim 器件查找

原创 已于 2024-11-09 16:31:22 修改 · 2.7k 阅读 · 4 ·
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#嵌入式硬件

于 2024-11-09 09:26:44 首次发布

TL431
Group:Power
Family: VOLTAGE_REFERENCE 电压参考
Component: TL431XXX

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光耦
Group:Misc
Family: OPTOCOUPLER 光耦
Component: XXX 没有PC817
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运放
Analog->OPAMP->LM358XX
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### 如何在Multisim中查找和使用特定器件 #### 查找特定器件的方法 在 Multisim 中，可以通过以下方法快速定位并找到所需的电子元器件： 1. **打开元件工具栏** 启动 Multisim 并进入设计界面后，在顶部菜单栏...
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MULTISIM仿真具有光耦隔离的PMOS管驱动电路
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利用Multisim实现开关电源仿真 毕业设计不妨看看
MULTISIM仿真具有光耦隔离的PMOS管驱动电路设计
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其原理是当MOS要关断瞬间，Cgs寄生电容电压是电源电压，三极管的e极连接的是Cgs寄生电容的负极，三极管的b极经R10连接电源为高电平，所以三极管Q2导通，Cgs寄生电容的电荷经Q2---R4快速放电，同时也经R2进行放电，迅速消耗Cgs寄生电容的电荷，减少MOS的关断时间，提高MOS的开关频率。二是在MOS关断时给Cgs寄生电容一个快速放电的回路，提高关断速度，泄放电阻一般取值为10K，也可根据实际情况做调整，阻值大，MOS关断速度慢。改进后的电路，MOS的开关频率提升10倍左右。话不多说，线上电路。
【免费下载】 MULTISIM仿真：具有光耦隔离的PMOS管驱动电路
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MULTISIM仿真：具有光耦隔离的PMOS管驱动电路 【下载地址】MULTISIM仿真具有光耦隔离的PMOS管驱动电路 本资源提供了一个MULTISIM仿真文件，内容为“具有光耦隔离的PMOS驱动电路”。该电路设计中加入了一个三极管Q2，用于辅助Cgs寄生电容的电荷泄放，从而大大缩短MOS管的关断时间 ...
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该电路将24V输入转为3.3V，最终输出电压值乘7.3就会得到实际电压值，如425.841mV*7.3=3.109V和实际输入电压3.117V几乎相等。实际使用可以根据芯片手册调整参数。使用到的运放是LM158D，运放级别能满足工业要求。由于R2支路有分流，所以R5和R6构成的分压电路R6的取值小误差就会小。目前输入输出误差大约2mV。
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