晶圆做成芯片的工艺流程

☆ 晶圆到芯片的工艺流程

1.湿洗

用各种化学试剂保持硅晶圆表面没有杂质

2.光刻

用紫外线透过【蒙版】照射硅晶圆
被照到的地方就会容易被清洗掉
没有被照射到的地方就会保持原样
于是就可以在硅晶圆上面刻出来想要的图案了
注意
这个时候还没有加入【杂质】
依然是一个硅晶圆

3.离子注入

在硅晶圆不同的位置加入不容的杂质
不容杂质根据浓度和位置的不同就组成了
【场效应管】

4.蚀刻

4.1干蚀刻

之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，
而是为了离子注入而蚀刻的。
现在就要用等离子把它们清洗掉。
或者是
光刻时候先不需要刻出来的结构，
这一步进行蚀刻
4.2 湿蚀刻

进一步地洗掉不需要的部分
但是用的是试剂
所以叫湿蚀刻

以上步骤完成后
【场效应管】就已经被做出来了。
但是以上步骤一般都不止做一次
很可能需要反反复复地做，
以达到要求。

5.等离子冲洗

用较弱的等离子束轰击整个芯片

6.热处理

6.1快速热退火
就是用大功率灯照射整个片子
让它瞬间达到1200摄氏度以上
然后慢慢冷却下来
目的是为了让注入的离子能够更好地【被启动】或者【热氧化】
6.2 退火
6.3 热氧化
制造出【二氧化硅】
也就是场效应管的【栅级】(gate).

7.化学气相淀积(CVD=Chemical Vapor Deposition)

进一步精细处理表面的各种物质

8.物理气相淀积(PVD=Physical Vapor Deposition)

进一步精细处理表面的各种物质
而且，可以给敏感部件加【涂层】(coating)

9.分子束外延(MBE=Molecular beam epitaxy)

如果需要长单晶的话，就需要这个。

10.电镀处理

11.化学和机械表面处理

12.晶圆测试

13.晶圆打磨

接下来就可以封装出厂了。

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2. P型半导体和N型半导体

2.1 P型半导体

也称为空穴型半导体。
P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

半导体中有两种【载流子】
导带中的电子和价带中的空穴。

如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，
则该类型的半导体就称为P型半导体。
“P”表示正电的意思，
取自英文Positive的第一个字母。
在这类半导体中，
参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，
这些空穴来自半导体中的