数理文章

抱着试试看的心态，在石墨烯上用电子束蒸发做了一次氧化铝，形貌尚佳，然而用探针去直接戳氧化铝与石墨烯发现导通。

摘要在过去的二十年，伴随着微电子技术的发展，以Intel、Nvidia、三星电子和比特大陆为代表的芯片巨头风光无两。芯片性能的突飞猛进离不开光刻精度一次又一次地突破技术极限。借助于光学近似修正、亚分辨率辅助特征增强和移相掩膜技术，光刻线宽迈入亚微米领域。离轴照明和先进光刻工艺的组合使得光刻精度接近瑞利衍射极限。同时，通过技巧把低分辨率设备进行改进远远比直接安装高分辨率设备要省钱和迅速。对光刻过程...

石蜡的导热系数为0.12W/mK，比硅的150W/mK和二氧化硅的7.6W/mK低很多。

首先将黑磷片定点转移到金属标记上,图片为显微镜200x照片，像素间距890.2nm，基片编号20190415 EBL HW-1 1 材料在字母上，石墨烯要在材料上。再转移CVD石墨烯进行紫外光刻后，对石墨烯刻蚀，去胶之后真空密封两周之后目标做成金属——黑磷——石墨烯纵向光电探测器。...

使用紫外光刻制作石墨烯微米带，光刻胶为负性胶NR9-3000PY。

# (c) Silvaco Inc., 2013go atlas## Lenslet Optimization# Here we compare several lenslet designs. All lenses for comparison# are spherical but have different radiuses. The width of the lens# a...

肖特基势垒高度写成下面的形式这里Vi是通过CV曲线来测定的，具体地，用

载流子迁移率随载流子浓度变化，弱场下几乎保持恒定，然而

go athenaline x loc=0 spacing=1line x loc=20 spacing=1line y loc=0 spacing=0.005line y loc=0.1 spacing=0.0125init two.d alumdeposit oxide thickness=0.025 div=2deposit material=3C-SiC thicknes...

go athenaline x loc=0 spacing=1line x loc=20 spacing=1line y loc=0 spacing=0.005line y loc=0.5 spacing=0.0125init two.d silicon c.boron=1e15deposit oxide thickness=0.005 div=2etch oxide start ...

这个仿真旷日良久，现在还没有一个定论。 目前，石墨烯在COMSOL中通过一个导电平面表示，三维结构，四壁采用的是完美电导体，上下是散射边界条件，尺寸是外面正方形5um和中间的圆3um。我们计算本征频率，得到的电场分布图很有规律，相关的仿真文件及更进一步的解释在坚果云上面。 当四周采用完美电导体的时候，本征频率普标偏高，起步在3.077THz；同样的结构用散射边界条件，本征频率就成为了2.4...

实验上要用到BOE，氢氟酸缓冲液。目的是处理石墨烯，石墨烯一般是在300nm的氧硅层上的，然而氧化硅会受到氢氟酸腐蚀，导致石墨烯质量下降。所以，需要用氢氟酸处理的基片要使用氮化硅沉底。 此次氮化硅沉底购买于淘宝店，产地黑龙江，淘宝上的氮硅片只有四寸片，与实验室的光刻不兼容。所以，没有做对准标记，直接划片了。转移石墨烯等等都没有问题。用BOE处理过后，表面形貌无明显变化，至少可以说氮化硅是更适合石墨