位运算

位运算是对整数在内存中的二进制位进行运算


主要有以下几种:

1、按位与(&):    相同位的两个数都为1结果为1,只要有一个是0,结果就为0;

2、按位或(|):    相同位的两个数只要有一个为1,结果就为1;

3、按位取反(~):    把0、1全部取反,0变成1,1变成0

4、按位异或(^):    相同位的两个数相同(即都为1或都为0),结果为0,两个数不同,结果为1

5、左移(<<):左移n位即在这个二进制数后加n个0,在二进制数后加一个0 相当于乘以2,因此,左移n位,相当于乘以2 的n次方

6、右移(>>):右移n位即把这个二进制数的后n位删掉,相当于除以2的n次方


使用技巧:

1、指定位清零:eg.把a的第i位清零--------> 把1左移i位,取反,再和a进行按位与

2、指定位置1:eg.把a的第i位设为1---------->把1左移i位,再和a进行按位或

3、指定位取反:eg.把a的第i位取反------------>把1左移i位,再和a进行按位异或

4、获取指定位的值:eg.获取a的第i位-------->把1左移i位,再和a进行按位与

5、交换两个数:eg.不引入临时变量的前提下交换两个数---------->a = a^b   b = a^b (相当于b异或了两次,只留下了a) a = a^b(相当于a异或了两次,只留下了b)

6、奇偶性判断:eg.判断a是否为奇数--------->a和1进行按位与,获取到的是最后一位,最后一位为1,就是奇数,最后一位位0就是偶数




资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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