双阱CMOS工艺流程动画

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当前我们对图像传感器的依赖程度超出了大多数人的想象。图像传感器应用在汽车上，帮助我们避免碰撞；应用于建筑监控，防止非法入侵；应用于生产线，检查产品的质量。有趣的是，人们经常按照像素大小和分辨率等非常简单的指标，对图像传感器进行分类，但为不同应用选择合适的传感器要比这复杂得多。
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07-01 9363
双阱工艺的目的主要是通过两种杂质注入使得可控掺杂浓度。从而达到分别调节NMOS和PMOS衬底掺杂浓度的目的。衬底掺杂浓度不同会影响器件很多性能，最主要的是MOS的阈值电压，阈值电压作为MOS器件的最关键参数，它的大小直接受衬底掺杂浓度的高低影响。这个你可以去查下半导体器件原理的书籍。Vth的公式就能知道了，即Qsd/Cox这一项。当然由于掺杂浓度引起的衬底费米能级变化而导致的功函数差...
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### 双阱CMOS制造工艺概述 双阱CMOS制造工艺涉及在一个单一的硅衬底上创建n型和p型两种类型的晶体管。这一过程通常通过在同一个晶圆上形成N阱区和P阱区来完成，从而允许在同一基板上集成NMOS和PMOS器件。 #### 关键步骤描述 - **晶片制备** 生产适当类型衬底的晶片制造工艺是整个流程的基础部分[^1]。 - **光刻定义区域** 准确定位每个区域对于后续掺杂和其他处理至关重要。这一步骤决定了哪些地方将成为N阱或P阱的一部分。 - **离子注入形成双阱** 高能硼离子（Boron(+) ions）被用来创建局部P型区域以供NMOS管使用；而磷(P)或其他合适的杂质则用于构建N型井结构，服务于PMOS组件的需求[^2][^3]。 - **热处理激活掺杂物并修复损伤** 经过上述操作之后，还需要进行多次高温退火等热处理程序以便有效激活所引入的杂质原子，并恢复因植入造成的表面缺陷。 - **栅极及其他层叠构造** 接下来会继续执行诸如生长二氧化硅绝缘层、沉积多晶硅作为门控材料以及进一步图案化这些层次的操作，最终构成完整的MOSFET单元[^4]。 请注意这里并没有直接提供具体的图形表示，因为实际工业界使用的图表可能包含更多细节和技术参数，但以上文字概括了从准备到成型的主要阶段。 ```mermaid graph TD; A[开始] --> B{选择衬底}; B --> C[清洗]; C --> D[N/P阱光刻]; D --> E[P阱离子注入]; D --> F[N阱离子注入]; E --> G[第一次热处理]; F --> G; G --> H[其他必要层制作]; H --> I[重复光刻/刻蚀/沉积]; I --> J[第二次及以上热处理]; J --> K[结束]; ``` 此Mermaid语法绘制了一个简化版的双阱CMOS制造流程图，展示了各个重要节点之间的关系。
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