MS_YangZhanZhang的博客

随后，我们进行了全局演化搜索其他可能的结构，最终确定了122种表现出空穴掺杂诱导铁磁性的二维材料。来自荷语鲁汶大学物理天文学院的Ruishen Meng教授与Michel Houssa教授合作，从三个主流数据库中筛选了数千个二维非磁半导体，并借助高通量密度泛函理论计算，确定出了空穴掺杂引起磁性的潜在候选材料。这些材料均可以由空穴掺杂实现稳定的磁有序，并且部分体系的居里温度达到了室温。该工作大大丰富了二维磁性材料库，同时对空穴掺杂诱导铁磁材料提供了一定的理论见解，为将来实现二维自旋电子器件打下了一定基础。

近期理论研究发现，面内的磁化也可以导致反常霍尔效应，（称为面内反常霍尔效应，IPAHE），然而以往IPAHE的研究主要关注具有非零磁化的铁磁或者亚铁磁系统。他们选取了两类代表性的材料（CuMnAs和新型的VS2-VS超晶格）为例进行了第一性原理的计算，并讨论了面内反常霍尔效应的实验探测，如图2所示。该项研究成果严格论证了在PT对称反铁磁体系中实现IPAHE的最低对称性要求，详细列出了所有满足条件的磁点群，提供了有效地搜索和设计具有IPAHE的反铁磁材料的方法，将促进它们在低功耗自旋电子学上的应用。

扫描透射电镜的结果表明，界面处约3个晶胞厚度的CaRuO₃层的RuO₆八面体的扭转度被大幅度地调控，其Ru-O-Ru键角从~150° 增加至~165°，与SrRuO₃薄膜中的Ru-O-Ru键角较为接近。这种界面结构耦合的调控必然会带来电子结构的改变。第一性原理计算表明， RuO₆八面体的倾斜/旋转的抑制将大幅提高CaRuO₃费米面处的态密度（N(EF)），最终使得界面3个晶胞层CaRuO₃层将满足巡游铁磁性的Stoner判据（IN(EF)> 1，I为Stoner系数），由块体的顺磁态进入铁磁有序态。