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大志出奇迹
热爱嵌入式技术，未出茅庐的小小白
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基础差分运算放大电路
基础差分运放电路原创 2024-10-31 17:08:08 · 400 阅读 · 0 评论 -
场效应管和MOS管的区别
当金属电极施加电压时，可以改变绝缘层内的电场分布，从而改变半导体通道内的电荷密度，最终影响到通道内的电流大小。NMOS的半导体通道为N型半导体，绝缘层为氧化物，金属电极为N型半导体的源极和漏极，当金属电极施加正电压时，绝缘层内的电场会吸引N型半导体通道内的电子向漏极方向移动，形成电流;PMOS的半导体通道为P型半导体，绝缘层为氧化物，金属电极为P型半导体的源极和漏极，当金属电极施加负电压时，绝缘层内的电场会吸引P型半导体通道内的空穴向漏极方向移动，形成电流。1.场效应管的主要部分由通道、源极和漏极组成。原创 2023-09-19 10:46:21 · 6493 阅读 · 0 评论 -
三极管和场效应管的区别
总结了三极管和场效应管的区别原创 2023-09-19 10:29:19 · 952 阅读 · 0 评论 -
二极管常见作用总结
总结了二极管的基本类别和常见作用原创 2023-09-19 10:26:44 · 1077 阅读 · 0 评论