【面试题】芯片中的IR drop现象是什么？

最新推荐文章于 2025-02-19 20:00:00 发布
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分类专栏： 芯片前端面经 文章标签： 嵌入式硬件 verilog 芯片 systemverilog
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IR drop（电压下降）是芯片设计中由于电流流过电阻和电感导致的电压降低问题，影响包括逻辑错误、时序问题和功耗。静态IR drop发生在稳态运行时，而动态IR drop则与瞬时电流变化有关，如时钟上升沿、数据传输和控制信号变化。解决IR drop的方法包括电源和时钟规划、电源域划分、功耗优化等。

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今天突然想到了IR drop的问题，决定加入我的面试题库。之前接触IR drop现象，场景是在芯片启动或任务下发整个芯片或者系统的电路一起工作起来时，或者任务结束停流时，瞬时的电流巨大变化会造成整体或局部的压降问题。因此可以通过分步启动或流水启动等方式避免系统瞬间的电流巨大变化，尽量以梯

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【数字IC基础】IR DROP学习总结（含笔试真题实战）
努力，加油每一天鸭~
05-10 1867
然而，设计中的某些部分的同时翻转又是非常重要的，例如时钟网络和它所驱动的寄存器，在一个同步设计中它们必须同时翻转。，从而降低总体的电阻，因此可以降低 IR Drop。也可以这么想：增大电源网络的密度，即增加电源线和地线的数量，可以提高电源网络的分布均匀性和电源供应的容量，从而改善电压降。参考答案：B【静态电压峰通常表示电源网络中某点的最大静态压降，平均压降则是整个电源网络中所有点的静态压降的平均值】可能会导致一些时序问题。所以，不能降低 IR Drop 的选项是【B】增加cell density。
IR Drop
hello_liuniuniu的博客
11-13 842
这个IR drop也是会有相应spec要求的，一般会按照供电电压的百分比来定，如果定了10%，对于5V的输入来说，就要求IR drop不能大于0.5V。​ 即电压降，就是指从芯片源头供电到instance所消耗的电压，对于flipchip封装形式，就是从bump到instance PG pin的电压降。接的外界输入电压Vdd 5V，Vss 0V，这个bump的电压到某一个instance后，可能Vdd只剩4V，Vss变为1V，那么这个instance得到的电压就只有3V，电压降就是2V。
IR_drop分析
seu他山之石的博客
07-02 9751
IR_drop分析
芯片的IR drop是什么
weixin_52636726的博客
12-27 1万+
IR这个词并不是什么缩写，这里的I就是指电流，R是指电阻，他们放在一起相乘，得出来的结果就是电压。所以说IR drop就是指电压降，哈哈，刚接触芯片后端会看到太多缩写，突然来个IR一时会反应不过来是电压。 所谓电压降，就是指从芯片源头供电到instance所消耗的电压，对于flipchip封装形式，就是从bump到instance PG pin的电压降。Instance实际得到的电压就是供电电压减去电压降的部分。比如bump接的外界输入电压Vdd 5V，Vss 0V，这个bump的电压到某一个instan
IR Drop电压降
qq_44347276的博客
08-29 7016
好的电源网络电流分布均匀，电源网络有一组以芯片中心等电位的同心圆，最大的电压降在芯片中心，IR Drop的peak值比average值大很多，peak值一般发生在worst-case下的门的开关活动。静态电压降式设计的平均电压降，平均电流取决于时间周期，在老工艺节点电源网络及未进行开关活动的逻辑电路的耦合电容的分析是有效的。电源网络提供的电流（di/dt）;电源/地的pad放置不合理，block放置错误，全局电源布线太差，电源环不足，电源条线宽度不足，电源条线数不足，via缺失，电源Pad的数量不足。
【数字后端设计--PA分析】芯片设计中的IR drop是什么？
m0_61003348的博客
09-13 3871
随着工艺制程不断演进，金属宽度变小、金属层数增加，引入电源网络的电阻明显增加，指从芯片源头供电到Instance。网络上电压下降或升高的一种现象。IR Drop是指出现在电源。
IR Drop 、EM、Noise 和Antenna
sinat_41774721的博客
07-21 1万+
动态IRDrop产生原因是电源在电路开关切换的时候电流波动引起的电压压降,发生在时钟的触发沿，时钟沿跳变引起大量晶体管开关，带来组合逻辑电路跳变，使芯片短时间内产生很大的电流。在分析noise时，将产生noise信号源的网络称为侵害net，受到串扰的网络称为受害net。这种方法通过改变金属布线的层次来解决天线效应，但同时增加了通孔，由于通孔的电阻会直接影响到芯片的时序和串扰问题，所以严格控制布线层次变化和通孔的数量。随着工艺技术的发展，栅的尺寸越来越小，金属的层数越来越多，发生天线效应的可能性就越大。...
数字IC笔试题（2）——降低动态IR DROP
DengFengLai123的博客
04-17 5478
降低动态IR DROP的方法包括（）（注意：题目中的IP DROP实际应该是IR DROP） 答案：AB 解析： IR DROP，IR电压压降，是集成电路中电源和地网络上的电压出现下降或者上升的现象。IR压降的大小取决于电源引脚到所计算的逻辑门之间的等效电阻大小。 IR DROP分为两类，一个是静态IR DROP，一个是动态IR DROP；可能会导致一些时序问题。 静态IR DROP产生的原因主...
芯片验证面试题汇总-1
weixin_49118247的博客
02-19 927
芯片验证是通过一系列测试和仿真手段，确保芯片设计在功能、性能、功耗等方面符合设计要求的过程。验证的目的是在芯片流片前发现并修复设计中的错误，避免昂贵的重新设计。
模拟版图面试题
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04-21
### 模拟版图设计面试题整理 模拟版图设计是集成电路设计的重要环节之一，其质量直接影响芯片的整体性能。以下是针对模拟版图设计的一些常见面试问题及相关知识点的总结： #### 1. 版图设计的基本原则 模拟版图...
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TroubleMaker
04-17 7万+
本文来自芯社区，谢谢。 1：什么是同步逻辑和异步逻辑？ 同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。 同步时序逻辑电路的特点：各触发器的时钟端全部连接在一起，并接在系统时钟端，只有当时钟脉冲到来时，电路的状态才能改变。改变后的状态将一直保持到下一个时钟脉冲的到来，此时无论外部输入x有无变化，状态表中的每个状态都是稳定的。 异步时序逻辑电路的特点：...
浅谈power signoff之什么是IR drop
cy413026的博客
05-23 5655
芯片中的电源VDD和 VSS）通过metal rail和metal stripe均匀分布，称为电源传输网络（Power Delivery Network，PDN）或power grid。PDN 中使用的每个金属层都具有一定的电阻率。当电流流过供电网络时，一部分施加的电压将根据欧姆定律在 PDN 中下降。电压降的量将是 V = I.R，称为 IR drop。图 1 显示了电源网络中的 IR drop。任何金属网络都可以假设为小 的R 和 C 的组合。图1 金属网络中的IR drop。
芯片的IR drop是什么（解读）
weixin_42754727的博客
04-24 7598
​ IR这个词并不是什么缩写，这里的I就是指电流，R是指电阻，他们放在一起相乘，得出来的结果就是电压。所以说IR drop就是指电压降，哈哈，刚接触芯片后端会看到太多缩写，突然来个IR一时会反应不过来是电压。​ 所谓电压降，就是指从芯片源头供电到instance所消耗的电压，对于flipchip封装形式，就是从bump到instance PG pin的电压降。Instance实际得到的电压就是供电电压减去电压降的部分。
芯片设计IR-Drop介绍
zhoujianjayj的博客
01-13 2028
在深亚微米下，如果power network做的不够好，然后碰上了很不好的case，IR drop在某个局部区域特别大（特别是动态IR drop），从而导致STA阶段signoff的timing 与实际情况不一致（考虑OCV仍然无法cover design的要求），导致setup或者hold的违例。这种现象产生在时钟的触发沿，时钟沿跳变不仅带来自身的大量晶体管开关，同时带来组合逻辑电路的跳变，往往在短时间内在整个芯片上产生很大的电流，这个瞬间的大电流引起了IR drop现象。IR drop主要分为两种。
IR drop的危害
Visionary
06-20 1万+
因为U=IR,所以IR-drop顾名思义就是压降。其危害有：1。性能（performance） 由管子的Tdelay＝c/u可知，电压降低，门的开关速度越慢，性能越差。 2。功能(function） 实际上在极端的情况下甚至功能也会受影响的。在深亚微米下，如果Power/Ground network做的也很差，然后碰上了很不好的case，IR drop会很大，如果用的是high
静态IR drop和动态IR drop区别
qq_45790653的博客
01-13 493
静态IR drop和动态IR drop的区别
芯片低功耗相关的术语简介
EricWZY2008的专栏
07-29 774
低功耗术语介绍。
Redhawk: dynamic ir drop分析（Clock Buffer Clustering）
m0_61544122的博客
09-20 4120
在dynamic分析中，ir drop问题多出现在三种情况下，缺power mesh，缺power switch，clock cell过于密集。 前两种情况通过选中具体instance查看min res path都比较容易分析出来，而且大部分问题都出现在channel里，这里不多做赘述。 clock cell过于密集这是观察结果，缺少报告支持，这里分享一下分析方法。 首先，选中压降超过signoff标准的instance，（Results->List of Worst Instance DVD中
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