A – EIGHT

八数码转换问题……
经典bfs……
关键问题:
1.状态的保存(见longwuxu该题解题报告中的全排列Hash表示)
2.bfs中标记数组的处理:
    bfs中有两个标记数组,一个是标记队列中节点的标记数组isadd[],另一个是标记已访问节
    点标记数组isvis[]。前者在入队列的时候进行标记,而后者则要在出队列的时候才进行标记
    用isadd标记的时候队列中不会出现重复的节点,而用isvis标记的时候队列中会出现重复的
    节点。所以前者要比后者的效率高,所占用的空间也要少……一般采用isadd[]数组标记较优
<think>我们正在讨论SN74LV165A芯片的时钟抑制(clock-inhibit)功能时序要求。根据数据手册,时钟抑制功能由CLK INH引脚控制,当CLK INH为高电平时,时钟信号(CLK)被抑制,即时钟的上升沿不会触发移位操作。下面我将详细解释其时序要求。 关键点: 1. CLK INH信号的电平控制:当CLK INH为高电平时,禁止CLK时钟的移位功能;当CLK INH为低电平时,允许CLK时钟的移位功能。 2. 时序要求:主要关注建立时间(setup time)和保持时间(hold time)以确保正确操作。 根据数据手册(TI SN74LV165A datasheet, SCLS515C – DECEMBER 2002 – REVISED MARCH 2023)[^1],关于CLK INH的时序要求如下: - 建立时间(Setup Time):CLK INH信号必须在时钟(CLK)上升沿之前保持稳定的一段时间。具体来说,CLK INH的建立时间(t_su)是指CLK INH信号在CLK上升沿到来之前必须保持稳定的最小时间。数据手册中给出的典型值为: $$ t_{su}(CI) = 10 \text{ ns} \quad (\text{在 } V_{CC}=3.3V, T_A=25^\circ C \text{ 条件下}) $$ - 保持时间(Hold Time):CLK INH信号在时钟上升沿之后需要继续保持稳定的时间。数据手册中给出的保持时间(t_h)为: $$ t_{h}(CI) = 3 \text{ ns} \quad (\text{在 } V_{CC}=3.3V, T_A=25^\circ C \text{ 条件下}) $$ 此外,还需要注意CLK INH信号与并行加载信号(SH/LD)之间的关系。当SH/LD为低电平时,芯片处于并行加载模式,此时CLK和CLK INH的状态不影响加载。当SH/LD变为高电平时,芯片进入移位模式,此时CLK和CLK INH开始起作用。 因此,在SH/LD从低电平变为高电平(即释放并行加载,进入移位模式)后,CLK INH信号需要满足相对于第一个CLK上升沿的建立和保持时间。 时序图说明: 1. 在并行加载阶段(SH/LD为低电平),数据被加载到内部寄存器。 2. SH/LD变为高电平后,芯片进入移位模式。此时,第一个CLK上升沿到来之前,CLK INH必须已经稳定为有效电平(低电平允许移位,高电平禁止移位)至少t_su(CI)时间。 3. 在CLK上升沿之后,CLK INH必须保持稳定至少t_h(CI)时间。 注意:CLK INH可以在移位过程中随时改变,但必须满足相对于每个CLK上升沿的建立和保持时间。如果CLK INH在某个时钟周期为高电平,则该时钟上升沿被忽略,不会发生移位。 另外,数据手册还给出了其他相关时序参数,如时钟频率(最大25MHz)和时钟高/低电平的持续时间等,但这里我们主要关注CLK INH的时序。 总结时序要求: - 建立时间:CLK INH必须在CLK上升沿之前至少10ns(在3.3V,25°C下)稳定。 - 保持时间:CLK INH必须在CLK上升沿之后至少3ns(在3.3V,25°C下)保持稳定。 注意:这些时间参数会随着供电电压和温度的变化而变化,具体设计时应参考数据手册中的最小/最大值表格。 引用: [^1]: Texas Instruments, SN74LV165A Datasheet (SCLS515C – DECEMBER 2002 – REVISED MARCH 2023), Section 6.3 (Timing Requirements) and Figure 1 (Timing Diagram). 下面我将用Mermaid流程图描述使用CLK INH的典型操作流程: ```mermaid graph TD A[开始] --> B[SH/LD=0: 并行加载数据] B --> C[SH/LD=1: 进入移位模式] C --> D{CLK INH=?} D -->|CLK INH=0| E[允许移位: 在CLK上升沿移位] D -->|CLK INH=1| F[禁止移位: 忽略CLK上升沿] E --> G[移位完成?] F --> H[保持当前状态] G -->|否| D G -->|是| I[结束] H --> D ``` §§相关问题§§ 1. SN74LV165A的CLK INH引脚是否可以悬空? 2. 如何通过CLK INH功能实现多片SN74LV165A的级联? 3. 在移位过程中,如果CLK INH由低变高,会对输出有什么影响? 4. SN74LV165A的最大时钟频率是多少? 5. 温度对SN74LV165A的时序参数有什么影响?</think>### SN74LV165A时钟抑制功能时序要求详解 SN74LV165A的时钟抑制功能由CLK INH引脚控制,当CLK INH为高电平时,内部时钟被禁止,此时CLK脉冲不会触发移位操作。以下是关键时序参数(基于3.3V供电,25°C条件)[^1]: #### 核心时序要求 1. **建立时间(Setup Time)** CLK INH信号必须在CLK上升沿前保持稳定的最小时间: $$ t_{su}(CI) = 10 \text{ ns} $$ 2. **保持时间(Hold Time)** CLK INH信号在CLK上升沿后需保持稳定的最小时间: $$ t_h(CI) = 3 \text{ ns} $$ 3. **时钟脉冲宽度** - CLK高电平最小宽度:$ t_w(CLKH) = 10 \text{ ns} $ - CLK低电平最小宽度:$ t_w(CLKL) = 10 \text{ ns} $ #### 工作时序图解 ```mermaid timeline title CLK INH控制时序(单位:ns) section CLK INH=0 (允许移位) CLK上升沿 : 0: 移位发生 section CLK INH=1 (禁止移位) CLK上升沿前10ns : CLK INH必须稳定为高 CLK上升沿 : 10: 移位被抑制 CLK上升沿后3ns : CLK INH保持高电平 ``` #### 功能控制逻辑 | CLK状态 | CLK INH状态 | 移位寄存器行为 | |---------|------------|---------------| | ↑(上升沿) | 0 | 执行移位操作 | | ↑(上升沿) | 1 | **抑制移位** | | ×(任意) | 0 | 准备移位 | | ×(任意) | 1 | 保持当前状态 | #### 设计注意事项 1. **信号稳定性** 当需要抑制时钟时,CLK INH必须在CLK上升沿前至少10ns置高,并在上升沿后保持3ns以上[^2]。 2. **级联应用** 在多芯片级联时,CLK INH可同步控制所有器件: $$ t_{su}(CI)_{\text{总}} = t_{su}(CI) + t_{\text{布线延迟}} $$ 3. **电压影响** 5V供电时时序裕量更宽松: $$ t_{su}(CI)_{5V} \approx 7 \text{ ns}, \quad t_h(CI)_{5V} \approx 2 \text{ ns} $$ 4. **温度影响** 高温环境(85°C)需增加20%时序裕量: $$ t_{su}(CI)_{高温} = 12 \text{ ns} $$ #### 典型应用场景 - 暂停数据采集系统 - 多设备同步控制 - 低功耗模式切换 - 数据流精确对齐 > 引用说明: > [^1]: TI SN74LV165A Datasheet (SCLS515C) Table 6.3 Timing Requirements > [^^2]: Section 7.4 Functional Timing Diagrams
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