C++作业四

本文深入探讨了编程领域的多个细分技术领域,包括前端、后端、移动开发、游戏开发、大数据、开发工具等,提供了对每个领域的关键概念和技术的概述。同时,文章还涉及了AI音视频处理、区块链、隐私计算等前沿技术,以及测试、运维、云计算等实际应用领域。通过丰富的实例和案例,旨在帮助读者理解编程技术的广阔性和复杂性。

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选三色小球
#include <iostream>
using namespace std;
int main()
{
	int I,J,K,count=0;
	cout<<"红球:\t"<<"白球:\t"<<"黑球:\t"<<endl;
	for(I=0;(I>=0&&I<=3);I++)
		for(J=0;(J>=00&&J<=3);J++)
		{
			K=8-I-J;
				if(I+J+K==8,8-I-J<=6)
				{
					++count;
					cout<<count<<": "<<I<<'\t'<<J<<'\t'<<K<<'\t'<<endl;//输出方案
				}
		}
	return 0;
}

求1000以内所有偶数之和
#include<iostream>
using namespace std;
int main()
{    
	int i=0,sum=0;
	while(i<=1000)
	{  
		sum=sum+i;
		i+=2;
	}
	cout<<sum<<endl;
return 0;
}

#include<iostream>
using namespace std;
int main()
{    
	int i=0,sum=0;
    do
	{  
		sum=sum+i;
		i+=2;
	}	
	while(i<=1000);
	cout<<sum<<endl;
return 0;
}


#include<iostream>
using namespace std;
int main()
{    
	int i,sum=0;
    for(i=0;i<1000;sum=sum+i)	
	i+=2;
	cout<<sum<<endl;
return 0;
}

星号图

#include<iostream>
#include<iomanip>
#include<cstdio>
using namespace std;
int main()
{
    int n;
    while(scanf("%d",&n)!=EOF)
    {
       int m=n;
       string x="* ";
        cout<<setiosflags(ios::right);
        if(n<=0)
            return 0;
        for(int i=0;i<n-1;i++)
        {
            x+="* ";
            cout<<setw(m--)<<'*';
            if(m==n-1)
            {
                cout<<endl;
                continue;
            }
           cout<<setw(2*i)<<'*'<<endl;
        }
        cout<<x<<endl;;
        }
    }



资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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