miaoxiaokeji的博客

举个例子，FR4的介电常数是4.7,经常用于导线的阻抗计算，因为导线的阻抗和分布电容有关。FR4的介电强度是10-20 kv/mm, 是衡量能否击穿的参数。介电常数和介电强度没有半毛钱关系。介电常数是衡量两个电极间的电容量的。介电强度是衡量两个点之间的绝缘强度的。这个“介”是指介质，介电常数和介电强度是介质的两个电参数而已，两个概念没有关系！第一次知道邓肯，以为他姓邓，是中国人，结果。

爬电距离，是两个点之间的表面接触距离，就像蚂蚁爬一样，经过的路径，重点是沿着表面爬。我们按照最坏的材料和使用环境看，220V的交流电，整流过以后，对地电压要300V，所以预留6.3mm以上的爬电距离是肯定安全的。电气间隙，是两个点空间的距离，想象成蚊子从一个点飞到另一个点的最短距离，这个和环境的关系就没那么大了。爬电距离设计上预留不能满足怎么办呢，常用的方法是PCB开槽，开槽以后，蚂蚁就爬不过了，就是按照蚊子飞行的最短距离计算了，就是。标准如下表，原理上300V电压，开个0.5mm的槽就够了。

功率管并联，要用同一批次

在评估功率管的散热绝缘垫时，需要根据材料的热阻率、接触面积、厚度，计算热阻。在已知功率管损耗和热阻后，就能计算出散热器和芯片结温之间的关系。下面是计算热阻MATLAB的代码，大家可以直接拿去用。电力电子的人，应该都会算这个吧。

做电力电子的，一半的时间再做电，另一半时间再做热和磁吧。这次根据SPICE仿真的波形数据，计算MOSFET的损耗。

我们要根据实际工况，例如MOSFET工作电压、工作电流、负载和损耗等，选定合适的驱动电阻，在开关损耗和电压过冲之间取一个平衡。

英飞凌功率MOSFET SPICE仿真容易出现不收敛问题，这个对于IGBT和SIC的管子应该是一样的，在瞬态仿真分析中，出现如下图所示的报错，Convergence problem。spice是为线性电路设计的，例如运算放大器、线性电源等，不是专门仿真开关电路的。在瞬态仿真时，仿真器是要不断迭代求解的，开关快速的跳变，容易在迭代式出现不收敛的问题。，由于时间步长减少，会消耗更多的计算机内存，如果运行多次内存消耗过大，会报“Out of memory”.解决方法是：报错工程，重启软件，内存重新计算。

英飞凌mosfet的spice仿真

这里要用安规电容是对可靠性要求很高，防止后级电路被人接触时有危险。

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