三星(Samsung) NAND Flash列表

 

三星(Samsung) NAND Flash列表 关键字：器件 NAND-Flash Samsung 型号 结构 页结构 块结构 工作电压(V) 温度 读速度 (nS) 封装 生产状态 注释 8Gb K9W8G08U1M 1M x 8 　 　 2.7 ~ 3.6 C,I 50 48TSOP1 工程样品 90nm Dual die (4G DDP x 2) 4Gb K9K4G08QA0M 512M x 8 　 　 1.70 ~ 1.95 C,I 50 48TSOP1 工程样品 90nm Dual die 　 K9K4G08U0M 　 　 2.7 ~ 3.6 工程样品 K9W4G08U1M 　 　 量产 0.12µm Dual die (2G DDP x 2) K9K4G16Q0M 256M x 16 　 　 1.70 ~ 1.95 50 工程样品 90nm Dual die K9K4G16U0M 　 　 2.7 ~ 3.6 工程样品 K9W4G16U1M 　 　 量产 0.12µm Dual die (2G DDP x 2) 2Gb K9F2G08U0M 256M x 8 　 　 2.7 ~ 3.6 C,I 50 48TSOP1 Jan. '04样品 90nm K9K2G08U0M 　 　 80 量产 0.12µm Dual die K9K2G08Q0M 　 　 1.70 ~ 1.95 50 量产 K9F2G08Q0M 　 　 工程样片 90nm K9K2G16U0M 128M x 16 　 　 2.7 ~ 3.6 C,I 50 48TSOP1 量产 0.12µm Dual die K9K2G16Q0M 　 　 1.70 ~ 1.95 80 工程样片 K9F2G16Q0M 　 　 1.70 ~ 1.95 50 工程样片 90nm K9F2G16U0M 　 　 2.7 ~ 3.6 Jan.'04样品 1Gb K9F1G08Q0A 128M x 8 　 　 1.70 ~ 1.95 C,I 50 48TSOP1 开发中 - K9F1G08D0A 　 　 2.4 ~ 2.9 K9F1G08U0A 　 　 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 48WSOP1 K9K1G08Q0A 　 　 　 　 1.70 ~ 1.95 60 48TSOP1, 63TBGA 已量产 0.12µm,双硅片 (512Mb x 2) K9F1G08U0A 　 　 2.7 ~ 3.6 50 48TSOP1, 48WSOP1, 63TBGA 48TSOP1 K9F1G08D0M 　 　 2.4 ~ 2.9 0.12µm K9F1G08Q0M 　 　 1.70 ~ 1.95 K9F1G08U0M 　 　 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 48WSOP1 K9K1G08U0M 　 　 48TSOP1 0.15µm,双硅片 (512Mb x 2) K9K1G16Q0A 128M x 16 　 　 1.7 ~ 1.95 C,I 60 48TSOP1, 63TBGA 已量产 0.15µm,双硅片 (512Mb x 2) K9K1G16U0A 64M x 16 　 　 2.7 ~ 3.6 C,I 50 48TSOP1 已量产 0.15µm,双硅片 (512Mb x 2) K9F1G16D0M 2.4 ~ 2.9 0.12µm K9F1G16Q0M 　 　 1.70 ~ 1.95 80 K9F1G16U0M 　 　 2.7 ~ 3.6 50 512Mb K9F1208Q0B 64M x 8 　 　 　 　 1.7~1.95 C,I 50 63TBGA 　 开发中 - K9F1208U0B 　 　 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 63TBGA, 48WSOP1 - K9F1208D0B 　 　 2.4 ~ 2.9 48TSOP1, 63TBGA - K9F1208D0C 　 　 2.4 ~ 2.9 63TBGA 已量产 0.12µm,双硅片 (256Mb x 2) K9F1208Q0C 　 　 1.7~1.95 K9F1208U0C 　 2.7 ~ 3.6 K9F1208D0A 　 　 2.4 ~ 2.9 48TSOP1 Being phased out, MCP only 0.12µm K9F1208U0A 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 48WSOP 已量产 K9F1208Q0A 1.7 ~ 1.95 60 48TSOP1, 63TBGA, 48WSOP1 Being phased out, MCP only 0.12µm K9F1208U0M 2.7 ~ 3.6 50 48TSOP1 已量产 0.15µm K9F1216D0C 32M x 8 　 　 2.4 ~ 2.9 　 　 　 　 　 　 50 63TBGA 已量产 0.12µm,双硅片 (256Mb x 2) K9F1216Q0C 　 　 1.7 ~ 1.95 60 K9F1216U0C 　 　 2.7 ~ 3.6 50 K9F1216D0A 　 　 2.4 ~ 2.9 50 48TSOP1 0.12µm K9F1216Q0A 　 　 1.7 ~ 1.95 60 63TBGA Jun. '04量产 0.12µm K9F1216U0A 　 　 2.7 ~ 3.6 50 48TSOP1 已量产 0.15µm 256Mb K9F5608D0C 32M x 8 　 　 2.4 ~ 2.9 C,I 50 48TSOP1, 63TBGA 已量产 0.12µm K9F5608Q0C 　 　 1.7 ~ 1.95 63TBGA K9F5608Q0C 　 　 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 63TBGA, 48WSOP K9F5608Q0B 　 　 1.7 ~ 1.9 63TBGA 0.15µm K9F5608U0B 　 　 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 63TBGA, 48WSOP K9F5608U0A 　 　 48TSOP1 0.18µm K9F5616Q0C 16M x 16 　 　 1.7~1.95 63TBGA 0.12µm K9F5616U0C 　 　 2.7 ~3.6 48TSOP1, 63TBGA, 48WSOP1 K9F5616Q0B 　 　 1.65 ~ 1.95 63TBGA 0.15µm K9F5616U0B 　 　 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 63TBGA 128Mb K9F2808Q0C 16M x 8 　 　 1.7 ~ 1.9 C,I 50 63TBGA Jun. '04量产 0.12µm K9F2808U0C 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 63TBGA 48WSOP1 已量产 K9F2808U0C 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 63TBGA 48WSOP1 Jun.'04可量产 TBGA 0.15µm K9F2816Q0C 8M x 16 　 　 1.7 ~ 1.9 63TBGA Jun. '04量产 0.12µm K9F2808U0B 2.7 ~ 3.6 48TSOP1, 63TBGA 已量产 K9F2808U0A 1.7 ~ 1.95 63TBGA Jun. '04量产 0.15µm 64Mb K9F6408Q0C 8M x 8 　 　 1.65 ~ 1.95 　 C,I 50 48TBGA Engineering Sample 0.15µm K9F6408Q0C 2.7 ~ 3.6 44TSOP2 K9F6408Q0C Mass Production 0.22µm K9F6408Q0C Begin Phased out 0.27µm 32Mb ...略 16Mb ...略 8Mb ...略 4Mb ...略 [Note] 1.Operating Temperature(Celsius); C: Commercial(0°C~70°C), I: Industrial(-40°C~85°C) 2.To get pinout and package 更新时间：03-12-21