​存储大厂:未来十年单颗SSD的容量可达1PB

三星通过3D制造工艺的NAND闪存技术进步,包括物理缩放、逻辑缩放和封装技术,不断提升SSD容量。QLC技术使存储密度增加,已实现从16TB到128TB的SSD发展。随着数据增长,三星预见到对更大容量存储设备的需求,并在智能SSD领域持续创新。

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据三星半导体消息,三星预计,在未来十年单颗SSD的容量可达1PB(一千万亿字节)。

三星表示,基于3D制造工艺的NAND闪存产品的数据存储能力正在不断提高,这种演变发生在物理缩放技术、逻辑缩放技术、32DIE堆叠封装三个领域。

其中,物理缩放技术包括三种技术,分别为横向/垂直收缩(一种减少每个存储单元大小的方法)、垂直堆叠技术(一种添加更多WL堆栈的方法,从而增加内存单元的数量)、电池在外围技术(一种减少硅面积的方法,把外围电路放在存储单元下面),用于提高性能和降低成本,以响应应用程序和系统处理需求的变化。

逻辑缩放技术,例如QLC技术——涉及到寻找在单个单元中存储更多比特的方法,以便SSD可以保存更多的数据,同时保持轻便和紧凑。QLC技术可以使每个设备每个单元存储4位,相比TLC存储密度提高33%。

封装技术是开发高容量产品的关键,三星已经有能力批量生产32Die堆叠封装(32 die-stack packaging)。

三星通过上述3项技术,不断探索高容量SSD,于2016年推出16TB的SSD,2017年推出32TB的SSD,2019年年末开发出64TB SSD,2021年开发出基于QLC的128TB原型SSD。

三星于2018年参与了智能SSD的的共同开发,并于2022年开始量产,2023年三星正与合作伙伴一起准备第二代智能SSD。

三星还预计,到2015年连接设备数将达到181ZB,这种爆发式的数据增长,需要更多、更大的数据中心。


(该文章转发自 公众号:全球闪存市场)

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