PN结解释

最新推荐文章于 2024-07-02 23:57:27 发布
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基本原理

PN结由P和N组成
硅掺杂硼，缺少电子，显正电，就是P（Positive）
硅掺杂磷，多出电子，显负电，就是N（Negative）

将P和N拼接
在这里插入图片描述
左边代表游离的电子，右边代表缺少电子形成的空穴
电子会自发的像空穴移动，就像水往坑里流
在这里插入图片描述
在N和P的连接区域附近
N区域的自由电子流出后，掺杂的磷由于失去了电子所以带正电
P区域由于多了很多电子，掺杂的硼控制不住所以呈现了负电
（这一部分不知道理解的是否有问题）
在这里插入图片描述
这片区域叫做耗尽层

电路

在这里插入图片描述
电子流动方向与电流方向相反
只有图中接法才能让电子流向空穴进而导通
反向加电则不行

参考

  1. 没人讲PNP三极管是吧?我讲!
MAGDB
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模电之半导体基础篇2（PN结）
Viewinfinitely的博客
06-30 1万+
文章目录一、PN结的形成二、PN结的动态平衡三、PN结的正反偏置四、电流的估算、PN结的击穿性五、PN结的电容 一、PN结的形成 1、过程 使用工艺，将P区域N区分散在左右两边，在浓度差作用下：电子从N取向P区扩散，空穴从P区向N区扩散 2、PN结 经过这样的多子（N区电子与P区空穴）互相扩散的过程之后，会在P区和N区的交界面上，留下一层不能移动的正离子（N区）、负离子（P区）。该层称作空间电荷层、阻挡层、耗尽层，即所谓的PN结。 二、PN结的动态平衡 1、扩散： 多子才会扩散，电子从N取向P区扩散，空穴
1.2 pn结二极管
最新发布
hughieu的博客
07-10 857
首先，耗尽区的宽度，决定结电容，主要由掺杂浓度较轻的一侧（即较小的 ( N )）主导。这应该是直观的，因为在电场与位置的图像中，结宽度加倍将使图下的面积增加四倍（曲线的斜率由掺杂浓度控制，因此是常数）。在绝对零度 T = 0K时，p型材料中的受主和n型材料中的施主均未电离，材料和能带图如图所示1.25. 当温度升高到0K以上时，n 型材料中的施主处释放自由电子，p 型材料中的受主位置吸收自由电子（或“释放空穴”）。) 是新势垒的高度。我们注意到，在室温下，所有掺杂物都是电离的，因此，n 区的电子密度为 (
PN结的单向导电性
ixue
09-21 2703
空心圆为空穴，实心圆为自由电子，p区带正电，n区带负电。限流电阻R是限制电流过大，保护作用。PN结的导通电压：Ge（锗）管：0.2v~0.3v，Si（硅）管：0.6v-0.7v;加反向电压时会有少子的漂移运动，有微弱电流。这里的电流对温度敏感。是温度当量，将温度转化为电压，室温下为26mv；U为PN结上加的电压,，起码几百mv；正向电流克服耗尽层电压使电路导通。##3，PN结的伏安特性曲线。
PN结的形成原理
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小神兵之技术篇
11-12 4万+
关于二极管的原理来自于PN结，下图为本征半导体： 1.空穴与电子 动画中空穴是红的，电子是蓝的，其实我一直对空穴这个概念很抵触，因为从这个动画上来看空穴是不动的。但讲PN结、三极管的时候都会把空穴当成运动的载流子，虽然似乎也不是很难理解。 P型半导体空穴多，容易吸引电子但原子核电荷不够，会形成负电荷。 N型半导体电子多，电子容易逃跑且原子核电荷太多，会形成正电荷。 2.PN结
PN结原理
hpx12345678的博客
11-29 5969
PN结有个内部电场，由于空穴和自由电子都朝着中间移动左边会留下步能移动的负离子，右边留下带正电的正离子。实际上整体上看PN结是不带电的。因为它是局部带电总的来看抵消了。 施加正向电压会让PN结内部电场减弱。 施加反向外部电压会让PN结内部场强增大，直到无法导通。 内部场强会阻碍电流导通。 ...
一文彻底搞懂PN结及其单向导电性（图解说明）
KS的博客
09-24 3万+
此时流入P区的电子会和其中的空穴结合，流入N区的空穴会和其中的电子结合，因此导致两区的多数载流子浓度都降低，因此耗尽层宽度增加，阻碍了扩散运动，由于没有多子的形成和扩散，也就不会有以多子移动而产生的电流了，此时PN结不导电。那么根据物质普遍是从高浓度区域向低浓度区域移动的这一定理，在N区的电子会向P区移动，同样P区的空穴会向N区移动。由于电池持续向N区提供电子，向P区提供空穴，我们把空穴运动反向变为电子的运动，会发现此时电子运动的方向与电源供电工作方向一致，因此此时正向导电。P型半导体和N型半导体都是呈。
基础电子中的pn结的形成-形成PN结的原理
11-15
PN结是半导体技术中的基本概念，它在电子设备如二极管、晶体管等中扮演着核心角色。本文将深入探讨PN结的形成原理及其重要性质。...这一过程不仅解释了PN结的基本性质，也是理解半导体器件工作原理的关键。
PN结为什么可以单向导电？PN结单向导电原理
07-12
二极管是由PN结组成的，即P型半导体和N型半导体，因此PN结的特性导致了二极管的单向导电特性。PN结如下图所示： 在P型和N型半导体的交界面附近，由于N区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由N区向电子...
PN结实验报告
11-11
本次半导体PN结实验报告的内容涵盖了多项关于PN结的物理特性和测量技术。以下是对报告内容的详细解析： 一、PN结的伏安特性及其测量 PN结是半导体器件中的一个基本结构，由P型半导体和N型半导体接触面构成。它的...
精选资源
PN结工作原理动态图画PPT课件.pptx
10-07
本篇课件《PN结工作原理动态图画PPT课件》正是为了深入浅出地展现PN结的内在机制，采用了动态图示来辅助解释PN结在不同电压条件下的工作状态，帮助学生和从业人员构建起坚实的PN结理论基础。 首先，我们需要了解PN...
模电知识点总结（二）——PN结
qq_41309972的博客
08-06 4797
个人学习总结，其中加入了个人的理解，有不正确之处欢迎批评指正。
学习笔记2：PN结
m0_65980659的博客
07-02 789
N区pn结由于电子的进入在变窄，p区pn结由于电子流出，空穴增多也在变窄。仍然有电子在做飘逸运动，当能量达到阈值时，被电源赋能的自由电子可以把共价键中的电子撞出来，形成自由电子和一个空穴，形成链式反应，形成很大的电流（雪崩击穿），不会损害半导体，但是会产生大量的热，导致半导体烧毁。从而让发生扩散的地方形成了一个电场（反向由n到p），电场内的电子受到由p到n的力，部分电子就会因为这个力从p到n运动。此时，n区pn结由于失去电子在变宽，p区pn结由于失去空穴也在变宽，原先内电场被加强，导致半导体不导电。
半导体的基础知识
gdaswater的专栏
08-29 1万+
SROUCE: CLICK HERE & HERE & HERE   一、物理基础    所有物质按照导电能力的差别可分为导体、半导体和绝缘体三类。半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。或者说，半导体是介于导体和绝缘体之间的物质。常用的半导体材料有：元素半导体硅(Si)和锗(Ge)、化合物半导体砷化镓(GaAs)等。导体的电阻率在10-4Ω•cm以下，如铜的电阻率为1.67
PN结相关知识全解
weixin_43492562的博客
06-30 9883
PN结构成，空间电荷区形成，工作状态，结电容，电导调制效应，多子少子分布等
PN结的个人理解
2301_78455117的博客
03-01 785
而又是怎么造成动态平衡的呢？我们可以通过电势的理论来解释，首先，因为扩散运动会形成电势E1，在E1的作用下，P区中的扩散过去的少量电子又会回到N区，进而形成了E2，N型半导体中多子为电子，显负电，P型半导体中多子为空穴，显正电，遂形成E3，而。N型半导体：掺入+5价的磷元素，磷原子取代原来硅原子的位置从而与剩下的硅原子形成共价键，来构成稳定的结构，但是由于磷原子外有五个电子，所以有一个电子游离在外，而磷原子因为在晶格上，而又失去了一个电子，所以成为了带正电的且。通过自由电子的移动，形成了电流，即导电。
PN结概念详解
weixin_63026364的博客
10-07 6351
PN结详解
模电学习第一天--PN结梳理
fcxgfdjy的博客
09-04 4289
基本概念 本征半导体：纯净的、具有晶体结构的半导体 两种载流子：自由电子、空穴（两种载流子均参与导电） 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象 复合：电子填补空穴 动态平衡：一定温度下，本征激发与复合产生的自由电子和空穴相等 温度影响：热运动加剧–挣脱共价键束缚自由电子增多–空穴增多–载流子浓度提高–导电能力增强 N型半导体：自由电子浓度大于空穴浓度，前者为多子，后者为少子 P型半导体：空穴浓度大于自由电子浓度 对于杂质半导体的温度影响：可以认为多子浓度约等于所掺杂质原子的浓度，且受温度影响很
P型硅与N型硅的区别
南山一梦
10-29 4万+
前段时间面试一家芯片公司时，被问到了这个问题，一并整理出来，免得自己又忘记了，在面试的过程中，只要能画出价电子的图，说个大概，应该就可以了。 导电率在10*e-7 ~ 10*e3 之间的材料都称为半导体，有一些半导体是纯元素，如硅，锗，这构成了半导体的基础。OK，先来张图，看看硅的电子分布。 纯净的硅更像是绝缘体，而不是导体，当它被施加外部作用时(比如外加电压)，没有能力改变其
电极：Positive（正）Negative（负）anode（阳） cathode（阴）
Wang_yf_的博客
02-14 1万+
阴阳极是对电解（池）而言的，正负极是对原电池而言的。 正极是电子流入的极，负极是电子流出的极，阴极是发生还原反应极，阳极是发生氧化反应的极。 阳极与电源正极相连，发生氧化反应，元素失电子，化合价升高；阴极与电源负极相连，发生还原反应，元素得电子，化合价降低。
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