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nor、nand等存储知识学习
小白icer
天行健 君子以自强不息。
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Nor Flash结构及指令
如果最后一个地址Byte不为零,并且时钟数超过剩余页面长度,寻址将换行到页面的开头。在某些情况下,小于256字节(部分页面)可以被编程,而不会对同一页面内的其他字节产生任何影响。一个条件执行部分页面程序的时钟数不能超过剩余的页面长度。如果发送到设备的字节数超过256byte,寻址将换行到页面的开头并覆盖之前发送的数据。与写入和擦除指令一样,CS#引脚必须在最后一个的第八位之后被驱动为高电平字节已被锁定。如果不这样做,页面程序指令将不会执行。原创 2025-02-13 19:17:40 · 1113 阅读 · 0 评论 -
Nand Flash基本原理
Nand Flash也是闪存的一种,紧跟上文NOR FLASH 闪存及基本原理-优快云博客可知,Nand Flash是一种非易失性存储器,本文主要介绍Nand Flash的基本结构和工作原理。原创 2024-08-27 23:42:19 · 1080 阅读 · 0 评论 -
NOR FLASH 闪存及基本原理
存储器是用来存储数据和程序的设备,存储器分类如下图所示:主要分为RAM和ROM。RAM叫做随机访问存储器(Random Access Memory),主要包括了SRAM和DRAM;ROM叫做只读存储器(Read Only Memory),主要包括了Flash、EPOM和EEPROM等。RAM存储器特点是可以从任意一个地址写入或者读出数据,但掉电数据易丢失。SRAM(Satic RAM)静态随机访问存储器通常用于计算机的高速缓存,速度快。原创 2024-02-18 15:48:52 · 3978 阅读 · 0 评论