1. 刷新以行为单位
2.每行信息2ms就会自动消失(栅极电容物理特性决定)。
3. 刷新周期为2ms:下一次对这行进行刷新的时间间隔为2ms,注意与刷新间隔区分。
刷新间隔:对芯片来说,进行两次刷新的时间间隔。
4.刷新间隔t = 刷新周期/行数(以保证每行在2ms以内能被刷新一次)。
5.读写操作时间周期 = 0.5us,刷新类似于一次读操作,所以实际刷新时间是0.5的倍数。
1. 刷新以行为单位
2.每行信息2ms就会自动消失(栅极电容物理特性决定)。
3. 刷新周期为2ms:下一次对这行进行刷新的时间间隔为2ms,注意与刷新间隔区分。
刷新间隔:对芯片来说,进行两次刷新的时间间隔。
4.刷新间隔t = 刷新周期/行数(以保证每行在2ms以内能被刷新一次)。
5.读写操作时间周期 = 0.5us,刷新类似于一次读操作,所以实际刷新时间是0.5的倍数。