二极管相关知识

 🦀 P型半导体：掺有三价元素（硼）。空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。

🦀 N型半导体：掺有五价元素（磷P、砷As、锑Sb）。空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子

• PN结

  🗒️ PN结：一些不能移动的带电离子集中在P区和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区（耗尽区&势垒区）。

  当外加反向偏置电压时，PN结处于反向偏置状态，使耗尽区厚度加宽，PN结的电场强度增加，因此阻碍了载流子的扩散运动，此时PN结呈现出一种高阻态，基本上不导电 。PN结内电流主要由漂移电流决定 。

  当外加正向偏置电压时，P区的多数载流子空穴和N区的多数载流子电子均向PN结移动 。在PN结中，空穴会中和原先的电子，导致电子浓度下降，同理空穴浓度也将下降。PN结的电场强度减少，即扩散运动（P→N）大于漂移运动（N→P）。

  • 反向击穿
    1. 雪崩击穿
    2. 齐纳击穿（一般出现在杂质浓度大的PN结中）
    3. 热击穿（不可逆）

• 主要公式

  1. 二极管内阻计算：

• 稳压二极管（齐纳二极管）

   🦀 齐纳二极管（稳压二极管）：该管子的杂质浓度比较高。在电流增量