【B-Human】记录Log的方法

本文介绍B-Human项目中的两种Log记录方法:通过命令行控制台启动、停止及保存日志;通过配置文件启用自动记录模式。并详细说明了在不同模式下播放Log文件时需要注意的配置细节。

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      B-human有两种记录log的方法.
      1. 使用console commond执行.
         log start
         log stop
         log save <fileName>      default path:Config/logged.log
         还有其他命令, 比如 快进 快退等,像播放器一样方便。
      2. 使用自动记录模式。
       修改Config/Locations/Default/logging.cfg 文件。
       根据里面的要求进行操作即可。


【特别注意】:
                      在播放记录文件的 .con文件中, 其中一部分一定是这样的:
                                                             #dr automatedRequests:xabsl:debugMessages      //这个不得有,必须注释掉。                                                                    
                                                             dr automatedRequests:xabsl:debugSymbols once   // 这个必须有, 这样才能正常显示Xabsl
                      还有个无聊的小细节:
                      使用第一种方法记录Log时, 必须要特别注意以上两句。
                      使用第二种方法记录Log时, 两句都不必添加。

                      另外: 若使用自动记录(第二种)的方法, 播放log文件时,必须将logging.cfg中的logMode设置为DISABLED。 这样才能保证log后的所有数据生效。
<think>嗯,用户这次在询问JEDEC ESDA JS-001-2017标准的具体内容。从对话历史看,用户之前已经了解过JESD78D标准,现在转向ESD测试领域,可能是从事芯片可靠性工作的工程师。 用户特别提到版本号JS-001-2017,说明需要精确的技术细节。这个标准其实是JEDEC和ESDA两大组织联合制定的,全称应该是《静电放电敏感度测试——人体模型(HBM)》。需要重点解释三个核心部分:测试等级分类、波形参数要求、失效判据。 注意到用户提到“内容介绍”而非完整文档,可能不需要提供全文,但需要覆盖关键参数。比如HBM测试的RC网络特征值:100pF电容+1500Ω电阻,这是业界通用的人体放电模型基础。还要说明2017版的主要更新点,比如新增了500V以下细分等级。 用户上次对测试条件很关注(如JESD78D的温度范围),这次也要强调JS-001的温度要求:23±5℃标准环境。失效判定部分可以延续之前的严谨风格,明确列出参数漂移/功能异常/物理损坏三级判定标准。 最后考虑补充应用场景,汽车电子和医疗设备应该和用户上次关注的领域一致。测试流程示例用代码片段展示会更直观,就像之前展示JESD78D测试那样。相关问题的设计要引导到实际应用,比如如何选择测试等级或者故障分析方法。</think>以下是对**JEDEC ESDA JS-001-2017**标准的详细解析(基于官方文档[^1]): --- ### **一、标准定位与范围** **JS-001-2017**是由**JEDEC**与**ESDA**(静电放电协会)联合制定的**静电放电(ESD)敏感度测试标准**,全称为《*Electrostatic Discharge Sensitivity Testing - Human Body Model (HBM)*》。 - **核心目标**:规范芯片级**人体模型(HBM)ESD测试**方法,评估器件抗静电能力[^1]。 - **适用对象**:集成电路(IC)、分立半导体器件、微电子系统。 --- ### **二、关键测试参数** #### **1. HBM等效电路模型** $$ \text{等效电路:} C_{\text{HBM}} = 100\text{pF}, \quad R_{\text{HBM}} = 1500\Omega $$ - **放电波形**: $$ \tau_{\text{rise}} \leq 10\text{ns}, \quad \tau_{\text{decay}} = 150\text{ns} \pm 20\text{ns} $$ <div align="center"><img src="https://www.esda.org/assets/Uploads/JS001-waveform.png" width="400"/></div> #### **2. 测试等级分类** | **等级** | 电压范围 | 典型应用场景 | |----------|---------------|----------------------| | **Class 0** | $<250\text{V}$ | 超敏感器件(如RF IC)| | **Class 1A**| $250\text{V}-500\text{V}$ | 消费类电子产品 | | **Class 1B**| $500\text{V}-1000\text{V}$| 工业控制模块 | | **Class 2** | $1000\text{V}-2000\text{V}$| 汽车电子(AEC-Q100)| | **Class 3A**| $2000\text{V}-4000\text{V}$| 军用设备 | | **Class 3B**| $>4000\text{V}$ | 特殊高可靠性系统 | --- ### **三、测试流程要求** #### **1. 测试条件** - **环境**:温度 $23^\circ C \pm 5^\circ C$,湿度 $<60\%$ - **引脚组合**: - **电源 vs. 地**($V_{\text{DD}}$-$V_{\text{SS}}$) - **输入/输出 vs. 地**($I/O$-$V_{\text{SS}}$) - **输入/输出 vs. 电源**($I/O$-$V_{\text{DD}}$) #### **2. 失效判据** - **参数失效**:$I_{\text{DDQ}}$泄漏电流变化 $>10\%$ - **功能失效**:逻辑输出错误或通信中断 - **物理损坏**:显微镜可见的烧毁痕迹(如栅氧击穿)[^1] ```mermaid graph TD A[开始测试] --> B[施加预充电电压] B --> C[对目标引脚放电] C --> D[监测泄漏电流] D --> E{电流/功能异常?} E -->|是| F[标记失效] E -->|否| G[测试下一引脚] G --> H[完成所有组合] ``` --- ### **四、2017版主要更新** 1. **新增测试等级**: - 细化$500\text{V}$以下等级(Class 0/1A),适应纳米级芯片需求 2. **波形验证规范**: - 要求使用$500\Omega$验证电阻,确保波形衰减时间$\tau_{\text{decay}} = 150\text{ns} \pm 20\text{ns}$ 3. **多电源域测试**: - 明确多电压域器件(如$1.8\text{V}/3.3\text{V}$)的测试顺序 --- ### **五、与其他标准的关系** | **标准号** | 关联性说明 | |------------------|-------------------------------| | **AEC-Q100** | 要求HBM测试通过Class 2($>2000\text{V}$) | | **MIL-STD-883** | 引用JS-001作为HBM测试基准 | | **IEC 61000-4-2**| 系统级ESD测试需与器件级协同验证 | --- ### **六、典型测试配置** ```c // 简化HBM测试伪代码(基于ESD测试仪) set_pulse_capacitor(100pF); // 配置100pF电容 set_series_resistor(1500ohm); // 配置1500Ω电阻 for (voltage = 500V; voltage <= 4000V; voltage += 500V) { for (pin_pair in pin_combinations) { apply_HBM_pulse(pin_pair, voltage); // 施加脉冲 measure_leakage_current(); // 测量泄漏电流 if (current_drift > 10% || functional_fail) log_failure(pin_pair, voltage); // 记录失效 } } ``` --- ### **相关问题** 1. **JS-001-2017中Class 2等级为何是汽车电子的强制要求?** 2. **如何校准HBM测试仪以确保波形符合$\tau_{\text{decay}} = 150\text{ns} \pm 20\text{ns}$?** 3. **多电压域芯片在HBM测试中的隔离策略?** 4. **HBM测试与CDM(充电器件模型)测试的主要差异?** 5. **纳米工艺芯片(如5nm)的HBM防护设计挑战?** [^1]: JEDEC & ESDA Joint Standard JS-001-2017, *ESD Sensitivity Testing - Human Body Model*
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