MOS管的N+是什么意思

最新推荐文章于 2023-08-29 03:27:29 发布
最新推荐文章于 2023-08-29 03:27:29 发布
阅读量2.3k 收藏 2
点赞数 4
NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表著两个意义：(1)N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是p-type。反之对PMOS而言，基体应该是n-type，而源极与漏极则为p-type（而且是重掺杂的P+）。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高，故在右图中没有“+”。
lygno1
关注
解析MOS管的详细参数，看完这篇你就全都懂了
weixin_43747182的博客
03-05 2万+
　 　　 　　MOS管介绍 　　 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 　　 　　MOS管导通特性 　　 　　导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 　　 　　NMOS管的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手...
P-N_MOS管_H桥驱动原理.pdf
10-11
P型MOS管（PMOS）和N型MOS管（NMOS）是两种常见的MOS管类型，它们在电路中的工作原理不同。P型MOS管在栅极电压低时导通，在高电压时关闭；而N型MOS管则相反，在高电压时导通，在低电压时关闭。由于MOS管是电压控制型...
数学中的数集N,Z,R,Q,C
m0_55714347的博客
08-29 1万+
数集N,Z,R,Q,C
n++和++n的区别
RRmh1128的博客
11-27 7692
因为n++中操作符位于变量的后面，所以称之为后置型，那么++n便称之为前置型 区别 在没有赋值操作之前，前置和后置是⼀样的，但是在赋值操作时，如果递增或递减操作符前置，哪么前 置的操作符就会累加或累减再赋值，如果是后置则先赋值再计算累加和累减 <body> <script> var n = 1; var a = n++; //a的结果为2 var b = ++n; //b的结果为2 </script> &lt
5V TTL和3.3V CMOS 电平接口
my_friend_ship的专栏
09-17 6343
CMOS     TTL   Vcc=3.3V     5V Vil 0.3*Vcc 0.99V   0.8V Vih 0.7*Vcc 2.31V   2V Vol  
什么是N+1查询？
xtayhicbladwin的专栏
10-28 3万+
 在Session的缓存中存放的是相互关联的对象图。默认情况下，当Hibernate从数据库中加载Customer对象时，会同时加载所有关联的Order对象。以Customer和Order类为例，假定ORDERS表的CUSTOMER_ID外键允许为null，图1列出了CUSTOMERS表和ORDERS表中的记录。 以下Session的find()方法用于到数据库中检索所有的Cust
(n++)+(n++)+(n++)与(++n)+(++n)+(++n)的区别
weixin_39528848的博客
11-20 4344
在学C语言开始的时候我们都会遇到求到给任意整数值(n++)+(n++)+(n++)与(++n)+(++n)+(++n)的值。 首先，我们复习下运算符++n与n++的区别。 运算符++n是n自加1之后再参与运算，而n++是n先参与运算，再自加1，再参与其他运。 假设n=5; (n++)+(n++)+(n++)一般我们第一反应就是6+6+6=18；但是实际上结果确实是18；但是运算结果不是这样
N沟道增强型mos管特性曲线及参数
07-15
N沟道增强型MOS管（NMOS）是电子电路中常用的一种半导体器件，它以电场控制的方式工作，在现代电子电路设计中扮演着非常重要的角色。了解N沟道增强型MOS管的特性曲线及参数，对于设计和分析电子电路具有基础性的重要...
n沟mos管导通条件
07-13
n沟mos管导通条件 场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。 可是，场效应管分为增强型和耗尽型，增强型的管子...
N沟道MOS管控制电路-光耦型
03-28
基于光耦控制N沟道MOS管控制电路，电路采用低导通，基于STM32引脚设计-------原理图文件
MOS管的那些事儿-mos管的工作原理
06-06
N沟道MOS管的导通是通过在栅极和源极之间施加正向电压，使得N型半导体区域下方形成一个通道，允许电流从源极流向漏极。相反，P沟道MOS管则是在栅极和源极之间施加负向电压，使P型半导体区域下方形成通道，电流从漏极...
n++,n--与++n,--n的区别
IGGIRing的博客
03-04 1万+
n++是先用再加。 ++n是先加再用。
Web前端面试笔试题目（1）：“n++”与“++n”的区别是什么？
zxy9602的博客
04-12 1655
1、案例1： var n=2; var r=n++ + ++n + n++; console.log(n); console.log(r); 解析——     上述小案例题目主要是一道用于区分前“++”、后“++”。 解决该题目首要问题，首先要明白 （1）表达式“n++” 、“++n”、“n++” =？ （2）变量“n”  =？ 其次，按照表达式从左
P-MOS和N-MOS的作用（供非专业人士参考）（已解决）
无云的专栏
12-29 1万+
问题描叙：网上对MOS的分析很到问，很专业！导致我这个外行根本看不懂，我不需要那么专业的东西，我只需要：N-MOS怎样打开，N-MOS在电路中起到什么样的作用；P-MOS怎样打开，P-MOS在电路中起到什么样的作用；当。怎么样是指电流的走向，电压值，哪里导通，哪里不通。可能描叙的不算很清楚。 已知： 求： 解： 答：对我而言，这个问题 最最最 简单的答案是：N-MOS高导通，低不通；P-M
나 이나用法
shuangshui的专栏
11-20 9501
<br />나/이나的用法<br /><br /> （1）“나/이나”表示让步选择，或者最次的选择。有时还有虽然是最好的，但是语气上好像不满足的样态。“나”用在开音节的体词或状语后，“이나”用在闭音节的体词或状语后。<br /><br /> 如：<br /> 우리는 참견말고 굿이나 보다 떡이나 먹자.<br /> 咱们别参与什么了，看看热闹等结果吧。<br /><br /> 그것이나 가져라.<br /> 就拿那个吧。<br /><br /> 아무것이나 가져 와라.<br /> 随便拿
MOS管的工作原理及常见的封装（看完必会）
热门推荐
We are all in the gutter, but some of us are looking at the stars.
01-13 4万+
MOS管的工作原理及常见的封装目录 MOS管的概述 MOS管的性能 MOS管的管脚及常见封装识别 MOS管的导通条件 加强理解MOS管 Question？ 致谢 MOS管的概述 场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（P沟道耗尽型MOS管）。而...
运动控制领域8轴插补运动控制源码：双DMA实现高频率脉冲输出与加减速控制
04-25
内容概要：本文详细介绍了8轴插补运动控制系统的实现，重点探讨了双DMA技术的应用，实现了高频率脉冲输出（最高可达500kHz）。文中首先解释了双DMA的工作原理及其相对于传统脉冲输出方式的优势，即减少CPU负载并提高数据传输速率。接着阐述了8轴插补算法的设计思想，包括基于时间分割的方法来确定各轴在特定时间段内的脉冲数。此外，还讨论了加减速控制策略，尤其是S型加减速算法的应用，以确保运动的平顺性。最后，文章展示了具体的代码实现细节，涵盖DMA配置、插补算法、加减速控制等方面。 适合人群：从事运动控制系统开发的技术人员，尤其是对嵌入式系统有一定了解的研发人员。 使用场景及目标：适用于需要高精度、高频脉冲输出的工业应用场景，如工业机器人、3D打印、激光切割等。目标是帮助开发者理解和掌握8轴插补运动控制的关键技术和实现方法，从而应用于实际项目中。 其他说明：文中提供的代码示例主要基于STM32系列单片机，但相关概念和技术可以迁移至其他平台。同时，强调了硬件细节处理的重要性，如RC滤波电路的应用，以应对实际工程中的常见问题。
2303040222橡胶232熊文栋（苯乙烯悬浮聚合）副本.pdf
最新发布
04-25
2303040222橡胶232熊文栋（苯乙烯悬浮聚合）副本.pdf
N+P mos管
04-03
### N沟道与P沟道MOSFET的工作原理 N沟道和P沟道MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是两种常见的MOSFET类型。它们的主要区别在于载流子的种类以及工作模式的不同。 #### 1. 基本结构与工作原理 MOSFET按照沟道导电类型的分类可分为N沟道型和P沟道型。其中，N沟道MOSFET利用电子作为主要载流子，而P沟道MOSFET则依赖于空穴作为主要载流子[^2]。 对于N沟道MOSFET而言，当栅源电压 \( V_{GS} \) 超过阈值电压 \( V_{th} \)，会在漏极和源极之间形成一条导电通道，从而使电流能够通过。而对于P沟道MOSFET，则是在负向栅源电压下开启通道[^4]。 #### 2. 开关特性 在实际应用中，增强型MOSFET常被用作开关元件。以N沟道增强型MOSFET为例，当栅源电压低于阈值电压时，MOSFET处于截止状态；当栅源电压高于阈值电压时，MOSFET进入饱和区并导通。这种行为使得MOSFET非常适合用于数字逻辑电路中的开关功能。 同样地，P沟道MOSFET也具备类似的开关特性，但在具体操作上有所不同——它需要较低的栅源电压来激活通道。这决定了两者在电路设计上的不同应用场景。 #### 3. 输入阻抗特点 无论是N沟道还是P沟道MOSFET，由于其独特的绝缘栅结构，都表现出极高输入阻抗的特点。这一特征意味着即使是非常微弱的驱动信号也能有效控制MOSFET的状态转换，同时也降低了静态功耗[^5]。 ### 应用场景分析 基于上述理论基础,N/P沟道MOSFET广泛应用于各类电子产品之中: - **电源管理**: 利用低导通电阻的优势, 可显著提高效率. - **信号切换**: 高频通信设备里常用做快速响应的模拟/数字信号切换器. - **功率放大**: 特别适合大电流输出场合下的音频功率放大部分. ```python # 示例代码展示如何使用Python库matplotlib绘制简单的MOSFET伏安特性曲线 import matplotlib.pyplot as plt import numpy as np vgs_values = np.linspace(-5, 5, 500) id_values_nmos = [(vg - 1)**2 if vg >= 1 else 0 for vg in vgs_values] # NMOS example transfer function id_values_pmos = [-(vg + 1)**2 if vg <= -1 else 0 for vg in vgs_values] # PMOS example transfer function plt.figure(figsize=(8,6)) plt.plot(vgs_values, id_values_nmos, label="NMOS", color='blue') plt.plot(vgs_values, id_values_pmos, label="PMOS", color='red', linestyle="--") plt.title('Transfer Characteristics of NMOS and PMOS FETs') plt.xlabel('$V_{GS}$ (Volts)') plt.ylabel('$I_D$ (Amps)') plt.legend() plt.grid(True) plt.show() ```
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值